文档介绍：郝天亮等薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究
:SiO 2 2209 1
文章编号: ( )
1001-9 73 1 2014 22-2209 1-05
薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究∗
SiO 2
郝天亮 1 ,陈钢进2
浙江大学物理系杭州杭州电子科技大学驻极体及其应用实验室杭州
(1 . , 3 10027;2. , 3 1001 8)
摘要: 驻极体具有优异的电荷储存能力,其膜进行改性等然而到目前为止尚未见有关
SiO 2 。, , SiO 2
具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集薄膜微观结构与其电荷储存稳定性之间关系的报导
。
成化生产等优点,一直是微器件和传感器领域研究的本文报道用和电子束蒸发两种方法制备
PECVD
热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等薄膜用扫描探针显微镜射线衍射
SiO 2 , (SPM)、X
离子增强化学气相沉积( )和电子束蒸发两种仪及激光拉曼光谱仪观察和分析了薄膜
PECVD (XRD) SiO 2
方法制备的薄膜的驻极体特性,发现方的微观结构和组成结合相应的驻极体性能测试探讨
SiO 2 PECVD , ,
法制备的薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸了薄膜微观结构与驻极体性能之间的关系初步
SiO 2 SiO 2 ,
发制备的薄膜。结合扫描探针显微镜、射线衍提出了电荷储存的界面陷阱机制对研究探索制备
SiO 2 X “”,
射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表高电荷储存稳定性的驻极体材料具有指导意义
。
明,其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。
实验
方法制备的非晶薄膜由纳米级非晶颗粒 2
PECVD SiO 2
组成,颗粒间存在大量无序度较高的界面,由此产生的薄膜的制备采用法和高真空电子束
SiO 2 PECVD
“界面陷阱”是导致制备的薄膜具有更蒸发法法是在镀有一层金膜的熔凝石英玻
PECVD SiO 2 。PECVD
佳电荷存储稳定性的根本原因。璃衬底上沉积薄膜其工艺条件为和
SiO 2 , SiH 4 、N2 O
关键词: 驻极体; 薄膜;微观结构; ;电混合气为源气体沉积温度约为沉积速率
SiO 2 PECVD N2 , 300 ℃,
子束蒸发约为膜厚高真空中电子束蒸
1 10 nm/min, ≥ 10 m。
中图分类号: 文献标识码: 发法则采用北京北仪创新真μ空科技有限公司生产的
O484 A
: / 真空镀膜机及配套电子枪以超高纯石英棒
DOI 9 6 9 j .-9 73 1 . 9 DM450C ,
杂质总含量-5 作为靶材将高能电子束聚焦
引言( <2×10 ) ,
1 到石英靶上使其局部熔化并蒸发在
, 1 2 mm ×
驻极体是指具有长期储存极化和空间电荷能力的的抛光单晶硅片和玻璃衬底上沉积出
1 2 mm ITO
功能电介质材料[1 ] 无机驻极体特别是驻极体薄膜其厚度约为沉积速率约为
。 SiO 2 SiO 2 , 2 m, 200 nm/
具有优异的电荷储存能力及其器件制作工艺与集成电电子束蒸发工艺条件μ为衬底被紧固在自制的衬