文档介绍：双极型晶体管
一、晶体管的结构和符号
二、晶体管的放大原理
三、晶体管的共射输入、输出特性
四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
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一、三极管的结构和符号
多子浓度高
多子浓度很低,且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
小功率管
中功率管
大功率管
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二、晶体管的放大原理
扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运形成集电极电流IC。
少数载流子的运动
因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区
因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合
因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区
基区空穴的扩散
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电流分配: IE=IB+IC
IE-扩散运动形成的电流
IB-复合运动形成的电流
IC-漂移运动形成的电流
穿透电流
集电结反向电流
直流电流放大系数
交流电流放大系数
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三、晶体管的共射输入特性和输出特性
对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
1、输入特性
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2、输出特性
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
饱和区
放大区
截止区
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晶体管的三个工作区域
晶体管工作在放大状态时,输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB;即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
状态
UBE
IC
UCE
截止
<Uon
ICEO
VCC
放大
≥ Uon
βiB
≥ uBE
饱和
≥ Uon
<βiB
≤ uBE
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四、温度对晶体管特性的影响
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五、主要参数
直流参数: 、、ICBO、 ICEO
c-e间击穿电压
最大集电极电流
最大集电极耗散功率,PCM=iCuCE
安全工作区
交流参数:β、α、fT(使β=1的信号频率)
极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO
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讨论一
1、分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态;
2、已知T导通时的UBE=,若当uI=5V,则β在什么范围内T处于放大状态,在什么范围内T处于饱和状态?
通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。
临界饱和时的
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