LED芯片介绍.ppt

文档介绍：LED Chip介绍
国内外芯片公司介绍
半导体技术与工艺介绍
半导体照明(LED)国际现状
LED外延、芯片已经形成了以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的全球市场与产业分工格局,并呈现出以日、美、德为技术代表,台湾、韩国紧随其后,中国、马来西亚等电子制造基础良好的国家积极介入这样一个梯次分布状况。世界主要厂商中,经过技术发展和市场竞争,已形成了各自的产业特色,日本Nichia处于技术领先水平,垄断了高端蓝、绿光LED的市场;日本Toyoda Gosei 的蓝绿光LED产量最大;美国Cree的SiC衬底生长的GaN外延片和芯片产量最大,而且在紫光外延片和芯片生产技术方面处于国际领先地位;美国Gelcore重点发展白光LED,在LED灯具设计方面处于国际领先地位;美国Lumileds重点发展大功率白光LED。
所在城市
公司名称
所在城市
公司名称
上海
蓝宝
武汉
华灿
蓝光科技
元茂
大晨
迪源
深圳
世纪晶源
杭州
士兰明芯
方大
廊坊
清芯
广州
普光
石家庄
立德
南昌
联创光电
扬州
华夏集成
晶能
大连
路美
厦门
三安
济南
华光
晶宇
国内(部分)LED pany
半导体技术与工艺链
衬底片制备
单晶生长、磨片、抛光
外延生长
MBE MOCVD
芯片制作
光刻、刻蚀、蒸发、划片
器件封装
贴片、键合、封包
1、半导体单晶生长及衬底片加工
通过对高纯原料熔融、化合物单晶生长、切割、磨片、抛光、真空包装等工艺,制成外延生长用衬底片。包括单晶生长炉、抛光机、变频行星式球磨机、晶体切割机等
高纯原料
化合物单晶
外延用衬底片
元素半导体的代表为硅(Si)和锗(Ge);也称为第一代半导体;
化合物半导体被称为第二、三代半导体材料,代表材料:***化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)等。
所谓“外延生长”就是在高真空条件下,采用分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等方法,在晶体衬底上,按照某一特定晶面生长的单晶薄膜的制备过程。
半导体外延生长主要采用MBE和MOCVD工艺。
衬底片
外延片
2、外延生长
RIBER R6000型MBE系统
RIBER R49NT型MBE系统