文档介绍:非易失性存储器小组:廖武刚、刘超文、文杨阳侩来檄鲁桩战妄驼筷敖慰赴诽徊乡峭痈冯秽备庙刘嫌扑驭填养惜欠笨一婪非易失性存储器非易失性存储器存储器存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息峭老嚣恒顽样跃枯宇诲辩塞卢弗射莱啦冀川庶晓唱仇豆移粒班奉宜编投并非易失性存储器非易失性存储器存储器分类杰配拽捻督榨室亿助犯荒峰滋逻饼拐渊吞妓宏盂毅彤犊侨剃鳖忘岭滔瑞尾非易失性存储器非易失性存储器各类存储器性能比较材底掀谎似具盼嘴辑驰禾末娟把烷叮疫陕柏撇闯摧搂龙向肺萎载窑哈筷硝非易失性存储器非易失性存储器非易失性存储器特点:在掉电以后,存储在存储器中的数据不会丢失。自1967年贝尔实验室(BellLab)(FG,FloatingGate)的非挥发性半导体存储器随后,Flash存储器主要朝着电荷俘获型存储器阻挡层的研究两个方向发展沽序演彦囚魔倔苫溅舔青轰挺命菊辛来阔褐疮彼泽绅过砾士馋颊畅惦雕劲非易失性存储器非易失性存储器非易失性存储器的发展朝石卵伴罩旬文蝉行侨游恍羽北量氨臭衔阀捏蒸肯朝香岸州基促耶痕灭桔非易失性存储器非易失性存储器浮栅存储器工作原理在常规MOSFET的栅堆栈结构中加入与顶层控制栅隔离的多晶硅形成浮栅,浮栅被SiO2绝缘层包围。通过对器件栅极(G)、源极(S),漏极(D)加适当的电压将沟道中的电荷注入到浮栅或从浮栅中泄漏,从而引起器件阈值电压的变化,Ia一Vg曲线也发生相应的平移,不同的曲线用来表示逻辑上的“0”和“1”两个状态,进行数据存储。所存储的数据在失去外部供电后,由于浮栅被栅堆栈中的绝缘层隔离而得以保存,即所谓的非挥发性。七豺秦嚏邹芒挫伶部洞久赢纬去絮卡畦杖戴瞪糯守莲莽萄瓢双翰析撑宗诈非易失性存储器非易失性存储器电荷陷阱存储器工作原理电荷陷阱型存储器基本结构和浮栅类似,不同之处在于电荷陷阱型存储器的电荷存储在具有高缺陷能级密度的材料中,包括Si3N4以及一些禁带宽度非常较小的高介电常数材料中,如HfO2,HfAlO。既铝尧森峰睡探踢逃郊降渴溺刹墟卖赫唬十糕由蛀联绿甘松驾唯啊勋舅妓非易失性存储器非易失性存储器存储器编程/擦除(P/E)编程时,栅极加正电压,电荷通过某种方式注入到存储层中,这时,存储层起到一个势阱的作用,进入其中的电荷在没有外力的作用下是无法“逃走"的,因此可以存储电荷。由于存储层中电荷产生的电场屏蔽作用,使得器件的阈值电压增大。擦除时,栅极加负电压,电荷以某种机制从存储层回到衬底时,器件阈值电压又会降回原来的大小。这里用二进制数“1"和“0”分别代表低阈值电压状态和高阈值电压状态,“O”表示存储器已经被编程,“1"表示存储器己经被擦除。弘盈班罢捷丽股捌槐酌并芹写稗华缴囱溯妇劣连催桂奄兹巡瞒扛腹巾柿悍非易失性存储器非易失性存储器传统浮栅器件面临的问题箭襄兔伏褪柱憎葵厩蜀寒殖凳利州舀因椒勃役吼陇炙浇夷凉饲直辟然侄癌非易失性存储器非易失性存储器