文档介绍：版图绘制及Virtuoso的使用周海峰2008年9月24日Date1共85页典型深亚微米工艺流程DesignRule的简介Virtuoso软件的简介及使用版图设计中的相关主题Date2共85页1典型深亚微米工艺流程这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程,用到的wafer是p型衬底,所以需要用nWELL来构建p沟器件,而n型MOS管就构建在p衬底上,而对于SMIC工艺来讲,NMOS构建在nWELL的反版也就是pWELL中。Date3共85页第一张mask定义为n-well(orn-tub)maska)离子注入:制造nwell。b)扩散:在所有方向上扩散,扩散越深,横向也延伸越多。Date4共85页第二张mask定义为activemask。有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。Date5共85页忽略版图中无法体现的一些mask:诸如channelstop、阈值电压调整等要介绍的第三张mask为polymask:它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。这还用来定义源漏的自对准。Date6共85页第四张mask定义为n+mask,用来定义需要注入n+的区域。可以看到多晶硅栅用来作为源漏的自对准层。这里的注入为两次注入,首先轻掺杂注入,在栅上生成一层氧化层后再重掺杂注入,形成LDD结构。Date7共85页第五张mask是p+mask。p+在Nwell中用来定义PMOS管或者走线;p+在Pwell中用来作为欧姆接触。LDD不必用来形成PMOS,这是因为热载流子在PMOS中受影响小。Date8共85页第六张mask就是定义接触孔了。首先腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够使金属接触到扩散区或者多晶硅区。Date9共85页第七张mask就是金属1(metal1)了。需要选择性刻蚀出电路所需要的连接关系。至此,一个反相器的完整版图就完成了。Date10共85页