文档介绍：2018/12/26
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典型深亚微米工艺流程
Design Rule的简介
Virtuoso软件的简介及使用
版图设计中的相关主题
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1 典型深亚微米工艺流程
这里介绍目前比较普通的N阱CMOS工艺流程,用到的wafer是p型衬底,所以需要用nWELL来构建p沟器件,而n型MOS管就构建在p衬底上,而对于SMIC工艺来讲,NMOS构建在nWELL的反版也就是pWELL中。
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第一张mask定义为n-well(or n-tub)mask
a)离子注入:制造nwell。
b)扩散:在所有方向上扩散,扩散越深,横向也延伸越多。
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第二张mask定义为active mask。
有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的管子的源漏区。
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忽略版图中无法体现的一些mask:诸如channel stop、阈值电压调整等
要介绍的第三张mask为poly mask:
它包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。这还用来定义源漏的自对准。
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第四张mask定义为n+mask,用来定义需要注入n+的区域。可以看到多晶硅栅用来作为源漏的自对准层。这里的注入为两次注入,首先轻掺杂注入,在栅上生成一层氧化层后再重掺杂注入,形成LDD结构。
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第五张mask是p+mask。
p+在Nwell中用来定义PMOS管或者走线;p+在
Pwell中用来作为欧姆接触。LDD不必用来形成
PMOS,这是因为热载流子在PMOS中受影响小。
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第六张mask就是定义接触孔了。
首先腐蚀SiO2到需要接触的层的表面。其次要能够
使金属接触到扩散区或者多晶硅区。
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第七张mask就是金属1(metal1)了。
需要选择性刻蚀出电路所需要的连接关系。
至此,一个反相器的完整版图就完成了。
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2 Design Rule的简介
图解术语