文档介绍：:..、结构完整的半导体称为本征半导体,摻入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子是电子。,空穴浓度电子浓度;在N型半导体中,空穴浓度B电子浓度;在P型半导体中,空穴浓度A电子浓度。(,,),多数载流子的浓度主要取决于I,而少数载流子的浓度与A关系十分密切。(,,),扩散电流-AJ票移电流,耗尽层_E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。(,,,,,F不变),PN结具有单向导电性,即处于正向偏置时,处于导通状态:反向偏賈时,处于截止状态。,反向电流一般D。(〜,〜,,)°C时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为乃时的伏安特性如图屮虚线所示。在25°C时,,反向击穿电压为160伏,反向电流为l(r6安培。温度T'小于25°C。(大于、小于、等于)/=八-1)。普通二极管工作在特性曲线的正向区;稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。(正确的在括号内画<错误的画x)。 (X),掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 (V),N型半导体带负电。 (X)。 (V),所以当把PN结两端短路时就有电流流过。(X),又描写了PN结的反向击穿特性。(X),它通常工作在反向击穿状态(7),它不允许工作在正向导通状态(X)。,Vi=5Sino)t(V),忽略D的导通压降和死区电压,画出各电路相应的输山电压波形。(C)(i):(a)陶屮,vp>0时,二极管截止,ve=0;Vi<0时,二极管导通,v0=Vjo(b)图中,二极管导通,v0=Vj+10vn/。。:(a) =-6+=-'(b)10-Ka ,v,-Q-7R' 尽得h=;-=JA2mAR',已知Di为锗二极管,其死区电压Vth=,;02为硅二极管,其死区电压为V\h=,。求流过D2的电流Mu/2od,V X :由于Di的死区电压小于D2的死区电压,应该01先导通。设01通、D2截止,此15-0310xl03+^AXlOO+OJ^OMV小于D2的开启电压,所