文档介绍：第六章 存储器与可编程逻辑器件存储器概述存储器:专用于存放大量二进制数码的器件按材料分类1)磁介质类——软磁盘、硬盘、磁带、…2)光介质类——CD、DVD、MO、…3)半导体介质类——SDRAM、EEPROM、FLASHROM、…按功能分类随机存储(读写)存储器RAM只读存储器ROMRAM:SDRAM,磁盘,ROM:CD,DVD,FLASHROM,EEPROM存储器一般概念存储器分类:RAM(essMemory)随机存取存储器ROM(ReadOnlyMemory)只读存储器随机存取存储器:在运行状态可以随时进行读或写操作RAM信息易失:芯片必须供电才能保持存储的数据SRAMDRAM只读存储器:通过特定方法写入数据,正常工作时只能读出ROM信息非易失:信息一旦写入,即使断电也不会丢失ROM(工厂掩膜)PROM(一次编程)存储器概述PROM(多次编程)双极型MOS型存储器:专用于存放大量二进制数码的器件存储器的主要性能指标:容量:存储单元总数(bit)存取时间:表明存储器工作速度其它:材料、功耗、封装形式等等存储器概述1Kbit=1024bit=210bit128Mbit=134217728bit=227bit字长:一个芯片可以同时存取的比特数1位、4位、8位、16位、32位等等标称:字数×位数如4K×8位=212×8=215单元(bit)读操作和写操作时序图:存储器的工作时序关系随机存取存储器随机存取存储器(RAM),它能随时从任何一个指定地址的存储单元中取出(读出)信息,也可随时将信息存入(写入)任何一个指定的地址单元中。因此也称为读/写存储器。优点:读/写方便缺点:信息容易丢失,一旦断电,所存储器的信息会随之消失,不利于数据的长期保存。存储矩阵(2n字×m位)片选与读写控制电路CSR/W地址输入控制输入三组输入信号:地址输入、控制输入和数据输入一组输出信号:数据输出大容量RAM数据输入/输出合为双向端口A0Ai地址译码器…..W0…..m数据输入/输出I/Om主要由地址译码器、存储体及读出电路等三部分组成。存储矩阵地址译码器数据输入/输出地址输入控制信号输入(CS、R/W)地址译码器:对外部输入的地址码进行译码,唯一地选择存储矩阵中的一个存储单元输入/输出控制电路:对选中的存储单元进行读出或写入数据的操作存储矩阵::由存储单元构成,一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。与ROM不同的是RAM存储单元的数据不是预先固定的,而是取决于外部输入信息,其存储单元必须由具有记忆功能的电路构成。:也是N取一译码器。:当R/W=1时,执行读操作,R/W=0时,执行写操作。:当CS=0时,选中该片RAM工作,CS=1时该片RAM不工作。静态MOS存储单元(SRAM)MOS六管存储单元T1~T4构成基本RS触发器T1-T2构成MOS反相器T3-T4构成MOS反相器两个反相器输入与输出交叉连接,构成基本RS触发器,储存数据。T5、T6——本单元控制门Xj=1,行地址选择线Xi有效(选中)T5、T6开通,触发器的两个互补输出端与位线接通。Xj=0,行地址选择线Xi无效T5、T6关断,触发器的两个互补输出端与位线隔离。存储单元VDDT3T4T2T1T6T5行选择Xi列选择Yj数据位数据位DDT8T7B位线B位线T7、T8——列存储单元的公用控制门Yj=1,T7、T8均导通,触发器的输出才与数据线接通,该单元才能通过数据线传送数据。读出是无破坏性的,即,读操作不会使数据发生改变。写入会改变原来存放的数据。即,不管原来存放的数据是什么,写操作后一定是新写入的数据。读取数据:VDDT3T4T2T1T6T5行选择Xi列选择Yj数据位数据位DDT8T7B位线B位线先将待写入的数据送到D、端上,再使X、Y有效,T5~T8开通,外来数据强行使触发器置位或复位。使Xi、Yj有效,T5~T8开通,触发器的两个互补输出端分别向D、端传出数据;写入数据:11