文档介绍：深圳蓝宝石晶片材料蓝宝石材料= =人造蓝宝石表面内拱度磨削机床=张元胜=张元胜= =广东省深圳市商报路天健工业区8栋4楼悦目光学公司=本实用新型涉及石料或类似材料的磨削设备,尤其是进行曲面磨削的设备。它由电机和传动件带动砂轮沿着与主轴同轴的圆桶内侧既作往返直线运动又作转动;同时,圆桶内粘贴被磨削物(如人造蓝宝石表面),使砂轮在运动时对其内拱面产生磨削。该设备对砂轮的弧度不需作严格限定,其加工精度不受砂轮弧度的限制,而由测量精度决定,可达到;亦无需频繁更换砂轮,还可实现一次多片加工。= =人造蓝宝石气体放电器件的封装端=卢义生=卢义生;俞鹤庆= =江苏省南京市五所村310-2-710室=本发明提出的是一种气体放电器件采用人造蓝宝石管、塞、环的封装结构——人造蓝宝石气体放电器件的封装端。管、塞、环系采用同一晶向(C轴)生长的人造蓝宝石材料,它可有效地提高放电器件的寿命和性能。实现人造蓝宝石气体放电器件的研究进入广泛应用的实用阶段。它可用于各系列的高压金属蒸气放电灯和普通高压钠灯和高显***高压钠灯以及钾铷激光光泵等。= =蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜=深圳大学; =彭冬生;冯玉春;牛憨笨;王文欣= =广东省深圳市南山区南海大道2336号=一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高质量的III族氮化物薄膜的新技术,该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底,以形成一定图案的蓝宝石衬底1,提供横向外延基底,缓冲层2为低温GaN薄膜,3为横向外延生长的高温GaN薄膜。缓冲层2首先在没有腐蚀坑位置的蓝宝石衬底1处外延生长,形成一定的籽晶,在籽晶处外延生长的同时,改变外延生长工艺条件,使其横向外延,以使两翼在腐蚀坑处翼合,形成高质量、低位错密度的GaN薄膜3,这样就可以在GaN薄膜3上沉积高质量的III族氮化物薄膜4。这种横向外延技术不仅可以降低位错密度,而且克服了传统横向外延技术工艺复杂和晶向倾斜高的缺点。= =将掺杂的多晶材料转化成单晶材料=通用电气公司=柯蒂斯·E·斯科特;玛丽·S·卡利赛夫斯基;莱昂内尔·M·莱维森= =美国纽约州=将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法,用能提高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料,在选定温度下加热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。所择温度低于多晶材料的熔化温度,但高于该材料熔化温度的一半。所述掺杂剂的实例包括+3价阳离子如铬、镓和钛。多晶体还可以被不均匀地掺杂,以形成掺杂至预定掺杂剂量的第一部分多晶体和未掺杂的第二部分,以致加热掺杂多晶体会使第一部分转化成单晶结构,而第二部分仍保持多晶结构。= =铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用=南京大学=谢自力;张荣;刘斌;韩平;修向前;文博;刘成祥;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群= =江苏省南京市汉口路22号=高结晶铟镓氮单晶外延膜,在蓝宝石衬底先设有 GaN缓冲层,且为20-200nm的低温GaN缓冲层;然后生长厚度可达到1-80μm的高结晶的 InxGa1- x(0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法,在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层,在500-700℃温度范围生长厚度在20-200nm的低温 GaN缓冲层;然后利用MOCVD生长高结晶的 InxGa1- xN材料;接着在GaN缓冲层上以500-1050 ℃生长高质量 InxGa1- xN材料;生长压力在0-700Torr,尤其控制在 300-700Torr;其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电池采用材料 In0..3GaN薄膜,电极采用MSM结构。= =包含透镜的手表面玻璃及该透镜的制造方法=科马杜尔公司=G·德拉布雷= =瑞士洛科=本发明涉及一种由坚硬矿物材料特别是结晶材料例如刚玉、蓝宝石或尖晶石制成的手表面玻璃,其包含一在表玻璃材料厚度范围内成形的非圆形光学透镜(4)。该透镜是通过对最好位于表玻璃下表面(5)中的槽进行机加工和抛光形成的。它的外形可以具有入射角,以及可以例如为矩形,利用刷同时添加抛光用介质撞击槽的底面进行机加工。= =氮化物半导体激光器=日本电气株式会社=山口敦史;仓本大;仁道正明= =日本东京=本发明的课题是降低使用氮化镓系材料的半导体激光器的阈值电流密度。根据本发明,在低位错密度的n型GaN 衬底21上,形成包含n型覆盖层33、和具有InxAlyGa1-x-yN(0-1以下,发光层的带隙能量的微观波动的标准偏差是75至200meV。= =一种发光二极管芯片及其制备方法=方大集团股份有限公司=李刚;潘群峰;吴启保= =广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城=本发明涉及一种发光二极管芯片,包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的N型氮化镓和P型氮化镓半导体材料,还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的透明导电薄膜,所述透明导