文档介绍：国家高技术研究发展计划(863 计划)
新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”
重大项目申请指南

在阅读本申请指南之前,请先认真阅读《国家高技术研究发
展计划(863 计划)申请须知》(详见科学技术部网站国家科技计
划项目申报中心的 863 计划栏目),了解申请程序、申请资格条件
等共性要求。

一、指南说明
研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长
期科学和技术发展规划纲要(2006-2020 年)》优先主题的重要内
容。“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目“十二五”的
战略目标是:以打造半导体照明产业核心竞争力为目标,以提高
自主创新能力为关键,以改善产业发展环境为手段,通过自主创
新,突破白光普通照明核心技术和产业化关键技术,完善技术创
新体系,培育科技创新领军人才和创新团队,建立特色产业基地,
形成具有国际竞争力的半导体照明战略性新兴产业。
本项目分解为十五个研究课题,公开发布课题申请指南,本
次发布的课题申请国拨经费控制额为 30000 万元。

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二、指南内容
课题 1、大尺寸 Si 衬底 GaN 基 LED 外延生长、芯片制备及封装技
术
课题研究目标:
掌握高内量子效率的 Si 基 LED 蓝光和绿光外延材料生长技
术,开发出高光提取效率的 Si 基 LED 芯片制造和封装的规模化生
产技术,促进 Si 基功率型(驱动电流为 350mA)LED 器件进入普
通照明领域。
课题主要研究内容:
(1)Si 衬底氮化物材料异质生长技术及器件制备技术;
(2)4 英寸及以上 Si 基 LED 蓝光和绿光外延材料生长技术;
(3)功率型 Si 衬底 LED 芯片制备、封装技术和产业化生产技术。
课题主要考核指标:
(1)功率型绿光 LED 每瓦光输出功率、功率型蓝光 LED 器件每瓦
光输出功率、功率型白光 LED 器件达到同期。
(2)功率型白光 LED 器件光效产业化水平不小于 110 lm/W,芯
片成本≤ 元/W;光衰达到;
(3) 建立年产千万只以上功率型 Si 衬底 LED 芯片与封装生产线。
(4)申请一批发明专利,形成一批国家标准。
课题支持年限:
2011 年 1 月至 2013 年 12 月。
本课题拟支持国拨经费控制额为 6000 万元,自筹经费不低于
国拨经费。
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课题 2、LED 外延生长用 SiC 衬底制备技术研究
课题研究目标:
掌握高质量 SiC 单晶的生长、切割和晶片加工技术;开发出
SiC 衬底的制备技术,支撑外延技术开发;建立 SiC 衬底产业化
生产线。
课题主要研究内容:
(1)34 英寸高质量 SiC 单晶生长技术;
(2)规模化衬底生产的切、磨、抛等处理工艺;
(3)SiC 衬底的表面洁净技术。
课题主要考核指标:
(1)SiC 晶体可使用面积>90%;
(2)衬底表面的粗糙度、双晶衍射摇摆曲线半高宽达到同期;衬底表面适合于 GaN 基 LED 的外延工艺要求;
(3)建立年产万片以上的 SiC 衬底生产线。
(4)申请一批发明专利。
课题支持年限:
2011 年 1 月至 2013 年 12 月。
本课题拟支持国拨经费控制额为 1500 万元,自筹经费不低于
国拨经费。

课题 3、GaN 同质衬底及外延生长技术研究
课题研究目标:
开发出直径为 2-4 英寸的同质衬底;掌握同质衬底上的 LED
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同质外延及器件结构技术;获得拥有自主知识产权的专利技术。
课题主要研究内容:
(1)氢化物气相外延(HVPE)等衬底制备量产技术;
(2)开发衬底设备制造技术;
(3)具有自主知识产权的 GaN 同质衬底高光效 LED 制备技术。
课题主要考核指标:
(1)在自行研制的设备上开发出 2-4 英寸免处理同质衬底,厚度
偏差、晶体位错密度、室温主发光峰达到同期;
(2)室温下材料的电子浓度和迁移率达到同期;
(3)通过同质衬底外延制备的白光 LED 器件,在 350mA 驱动电流
下,封装白光 LED 器件后光效≥110 lm/W;
(4)申请一批发明专利。
课题支持年限:
2011 年 1 月至 2013 年 12 月。
本课题拟支持国拨经费控制额为 2000 万元。

课题 4、半导体照明外延生长用关键原材料研究
课题研究目标:
突破蓝宝石衬底的制备及加工工艺,开发产业化生产技术;
掌握