文档介绍：目录
引言……………………………………………………………………………………1
1 RRAM技术回顾………………………………………………………………………1
2 RRAM工作机制及原理探究…………………………………………………………4
RRAM基本结构………………………………………………………………4
RRAM器件参数………………………………………………………………6
RRAM的阻变行为分类………………………………………………………7
阻变机制分类………………………………………………………………9
…………………………………………11
………………………………………………15
…………………………………………………19
………………………………………………23
………………………………………………24
……………………………………………………26
……………………………………………………28
RRAM与忆阻器……………………………………………………………30
3 RRAM研究现状与前景展望………………………………………………………33
参考文献……………………………………………………………………………36
阻变随机存储器(RRAM)
引言:
阻变随机存储器(RRAM)是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器(NVM)器件。近年来, NVM器件由于其高密度、高速度和低功耗的特点,在存储器的发展当中占据着越来越重要的地位。硅基flash存储器作为传统的NVM器件,已被广泛投入到可移动存储器的应用当中。但是,工作寿命、读写速度的不足,写操作中的高电压及尺寸无法继续缩小等瓶颈已经从多方面限制了flash存储器的进一步发展。作为替代,多种新兴器件作为下一代NVM器件得到了业界广泛的关注[1、2],这其中包括铁电随机存储器(FeRAM)[3]、磁性随机存储器(MRAM) [4]、相变随机存储器(PRAM)[5]等。然而,FeRAM及MRAM在尺寸进一步缩小方面都存在着困难。在这样的情况下, RRAM器件因其具有相当可观的微缩化前景,在近些年已引起了广泛的研发热潮。本文将着眼于RRAM的发展历史、工作原理、研究现状及应用前景入手,对RRAM进行广泛而概括性地介绍。
1 RRAM技术回顾
虽然RRAM于近几年成为存储器技术研究的热点,但事实上对阻变现象的研究工作在很久之前便已开展起来。1962年,T. W. Hickmott通过研究Al/SiO/Au、Al/Al2O3/Au、Ta/Ta2O5/Au、Zr/ZrO2/Au以及Ti/TiO2/Au等结构的电流电压特性曲线,首次展示了这种基于金属-介质层-金属(MIM)三明治结构在偏压变化时发生的阻变现象[6]。如图1所示,Hickmott着重研究了基于Al2O3介质层的阻变现象
,通过将阻变现象与空间电荷限制电流理论、介质层击穿理论、氧空洞迁移理论等进行结合,尝试解释了金属氧化物介质层阻变现象的机理。虽然在这篇文献报道中,最大的开关电流比只有30:1,但本次报道开创了对阻变机理研究的先河,为之后的RRAM技术研发奠定了基础。
图1. T. W. Hickmott报道的基于Al/Al2O3/Au结构的电流-电压曲线,其中氧化层的厚度为300Å,阻变发生在5V左右,开关电流比约10:1[6]
Hickmott对阻变现象的首次报道立刻引发了广泛的兴趣,之后在十九世纪60年代到80年代涌现了大量的研究工作,对阻变的机理展开了广泛的研究。除了最广泛报道的金属氧化物,基于金属硫化物[7]、无定形硅[8]、导电聚合物[9]、异质结构[10]等新材料作为介质层的结构也表现出了阻变性质。这些研究工作也很快被总结归纳[11、12]。早期的研究工作主要是对于阻变的本质和机理进行
探究,以及对阻变机理应用于RRAM技术的展望。但此时半导体产业对新型NVM器件的研究尚未引起广泛重视,并且在对阻变现象的解释过程中遇到了很多困难,没有办法达成广泛的共识,故而在80年代末期,对阻变的研究一度趋于平淡。90年代末期,摩尔定律的发展规律开始受到物理瓶颈的限制,传统硅器件的微缩化日益趋近于极限,新结构与新材料成为研究者日益关注的热点。与此同时,研究者开始发现阻变器件极为优异的微缩化潜力及其作为NVM器件具有可观的应用前景[13],因而引发了对基于阻变原理的RRAM器件的广泛研究。
如图2所示,近十年来,由于RRAM技术的巨大潜力,业