文档介绍：第4章存储器和高速缓存技术
存储器和存储器件
存储器的分类
存储器根据用途和特点可以分为两大类:
,简称为内存或主存
快速存取
容量受限制
,简称为外存
容量大
速度慢
存储器和存储器件
存储器容量以字节为单元,常用的有
210字节=1KB,
220字节=1024KB=1MB,
230字节=1024MB=1GB,
240字节=1024GB=1TB
微型计算机内存的行列结构
存储器和存储器件
在微机中,存储器按8位二进制数(一个字节)编址,每一个单元都有一个地址。
计算机内存采用行列结构。
32行×32列组成的矩阵和外部的连接
存储器和存储器件
①易失性
②只读性
③存储容量
④速度
⑤功耗
选择存储器件的考虑因素
存储器和存储器件
1. SRAM
由双稳电路构成,存储信息稳定。
速度快,功耗大,容量小。用于存储容量较小的系统中。
随机存取存储器RAM
存储器和存储器件
典型RAM芯片举例:静态RAM Intel 2114
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行
选
择
64×16
存储矩阵
.
.
.
.
.
.
V
CC
GND
输入
数据
控制
I / O1
I / O2
I / O3
I / O4
列
I/O
电路
列选择
. . . . . .
A
0
A
2
A
1
A
9
CS
WE
静态RAM Intel 2114
1K×4的SRAM,1024个字,数据线4条,地址线10 根。
2114
A0 ~A9

WR
CS
D0~D3
,写入;
,读出。
=1,禁止。
:静态存储电路
存储器和存储器件
地址线的引脚与芯片的单元数有关
数据线的引脚与芯片的字长有关
地址范围从全0到全1的所有编码
存储器和存储器件
利用电容存储电荷的原理保存信息,由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定,故DRAM芯片需要定时刷新。
容量高,功耗低,需要刷新。用于大容量的系统中。
2. DRAM
存储器和存储器件
从上一次对整个存储器刷新结束时刻,到本次对整个存储器完成全部刷新一遍为止,这一段时间间隔称为刷新周期。一般为2ms,4ms或8ms。
刷新方法:动态MOS存储器通常采用逐行“读出”方式进行刷新,并且通常采用一次刷新一行存储元的方法。
常用的刷新方式有三种,一种是集中式,另一种是分散式,第三种是异步式。
DRAM的刷新