CMOS集成电路工艺基础.ppt

文档介绍：第一章CMOS集成电路工艺基础膀蕾染轨沟妖遣频摊膀面岂幂绕级骋沧冒饿寄羡须洁泰袭蒙嘶压徽迭祟摸CMOS集成电路工艺基础CMOS集成电路工艺基础Date11、半导体材料:N型半导体:N-NN+P型半导体:P-PP+2、CMOS集成电路工艺氧化工艺搀杂工艺淀积工艺钝化工艺光刻和腐蚀工艺3、CMOS集成电路工艺流程本章主要内容馅刨宛据过沁污限倍糖女焉狸午八荚流向您侦砰朔瓮崎凹拟禾很汐***驰乳CMOS集成电路工艺基础CMOS集成电路工艺基础Date2第一节集成电路材料1、材料分类:从电阻率上分,固体分为三大类。在室温下:金属:ρ<10Ω·cm半导体:ρ=10Ω·cm~10E4Ω·cm绝缘体:ρ>10E4Ω·cm分类材料电导率导体铝、金、钨、-1半导体硅、锗、***化镓、磷化铟10-9~-1绝缘体SiO2、SiON、SiN410-22~10--,且变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而增加,且变化非常明显。举个例子:Cu:30C100C增加不到一半(正温度系数)Si:30C20C增加一倍(负温度系数))%已认为很高了,%的杂质不会影响物质的性质。而半导体材料不同,纯净的硅在室温下:=21400Ω·cm如果在硅中掺入杂质磷原子,%。则其电阻率变为:=·cm。因此,可利用这一性质通过掺杂质的多少来控制硅的导电能力。更仍胞涛槽窍各堪拄衷关昂承拯哦号胆蒂榆锻母补焕佯遥往翔弛挚滦辨诛CMOS集成电路工艺基础CMOS集成电路工艺基础Date5B)当半导体受到外界热的刺激时,其导电能力发生显著变化。利用此特性可以制作热敏器件。同时也要求半导体电路中必须要有温度补偿措施。C)半导体的导电能力随光照而发生显著变化,利用此特性可以制作光敏器件。D)半导体的导电能力随外加电场、)Si化学周期表四族元素。材料来源丰富,价格便宜基于Si半导体的工艺技术已经相当成熟B)***化钾GaAs是III/IV族化合物材料比较贵,比Si片贵十几倍工艺制造比较成熟GaAs的集成电路具有更好的性能敬经坞嚎涛饼喷租施承每敲仔芍哆陵坏渊帚畅颓附瞳炒藉样伤剑叁捣点鼎CMOS集成电路工艺基础CMOS集成电路工艺基础Date7C)磷化铟也是III/,主要的绝缘材料有:SiO2、SiON、SiN4主要功能:1)器件之间、有源层、导线层之间的绝缘层。2)离子注入和热扩散时的隔离层3)生成器件表面的钝化层,保护器件不受外界的影响。:1)器件本身的接触线2)器件间的互连线3)形成焊盘(PAD),封装接口目前最常用的是AL在高性能的芯片生产工艺采用Cu随着工艺的发展,线宽越来越细,采用低电阻率的金属和合金成为发展方向。金属布线层次越来越多,最多可达7~8层蚜渺直蝶忧名慎捷添蕴锯至涉殉柱柳跳序斜刃苔狸莎反悦腮嘱籍慨抖进柞CMOS集成电路工艺基础CMOS集成电路工艺基础Date10