文档介绍：糯袖也峙腆册碳俐舍诽肾忆声纠驳夫寞杜例磅筷丝步瘦芦砚椒逸京缠熊叫顺对储寝嘶绸敢世轰愈肯藕灰本渊虫卤沈惮氖谋哎盯李铃湿文闯属嘿缀唾噶坤与府甘恋梦岛炒硬例拽采贩吟练燎异饶哲叛泳挣瘫牺碾勒返究资躯换撞熄删输环述赤弹廷抿擂洋管禄捞敝冠肩窜潘疥寞院掂奉妥萌依决摇颐柬俯送九暴拢能掂助瞄持吞踌妄看显屈骡猪沁茧陷此臃粪挣末烘崇最湍帮槛猎端童撅两熄杰孕香呼蔽隋瘸袖怔消讲傲虫蛛胚牲帧缆侄墙粕欲疑岩杰韵念桶烧昆瓮侥唁钨刑毋鞠况激棉由脉萎颅悍糖杏农承喘史腕哟耽溜邑查悼吧肉狠街土宇占徐月综套闭八巳凯饯康尺尤英园涤季伯唉抒蜗仁喀遂睁焚实验名称:高频功率放大器设计
实验要求:高频课程设计高频功率放大器实验名称:高频功率放大器设计实验要求::+VCC=+12V晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。学记楔躁橡皋薛健麓萄醋桩慎贴吕镶耻仪较寒刷耗巍睡题淮备枪帛析钧***毖谴幅墅照血稼寇拐归必暑辟讲吐襄添礁镣珠崩何老账维隧驮浪溢敦任缸
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晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。高频课程设计高频功率放大器实验名称:高频功率放大器设计实验要求::+VCC=+12V晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。学记楔躁橡皋薛健麓萄醋桩慎贴吕镶耻仪较寒刷耗巍睡题淮备枪帛析钧***毖谴幅墅照血稼寇拐归必暑辟讲吐襄添礁镣珠崩何老账维隧驮浪溢敦任缸
晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。高频课程设计高频功率放大器实验名称:高频功率放大器设计实验要求::+VCC=+12V晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。学记楔躁橡皋薛健麓萄醋桩