文档介绍：紧凑型高压真空断路器可行性研究作者:HansSchellekensSchneiderElectric,Grenoble,esGaudartVATECHT&D,SiemensGroup,Grenoble,France摘要:这项研究集中在一个紧凑型真空断路器(CB),,。基于多个浮动屏障配置,从而降低了总故障的风险由于接触和屏障之间形成部分击穿的真空灭弧室(VI)的介质。一个优化的接触表面上的电场分布的最大指向浮动屏障领域安排,从而减少击穿的每一个接触的有效面积。所有的测试都是一个专门设计的单相断路器配备极单位进行低能量的弹簧式机制。中断的性能被证实直接测试。断路器被证明是极重燃无电缆充电C2类。在新的条件和绝缘试验后中断测试证实公布的评级。这些试验证实,25%以上的紧凑VI的基础上概述的介质概念的这个高压CB的可行性。真空击穿指数,绝缘击穿,真空灭弧室,高电压技术,断路器,SF6。(VI)已适用于72千伏电压等级和更高的单断点断路器[1]。这一主要突破已在日本的真空电介质取得更好的理解,我们这里指的“区域效应”[2],其中涉及暴露的接触面积的真空间隙的绝缘强度,和垫款在真空灭弧室的“电压调节”[3]。最近已提议为145千伏的电压,真空技术[4,5]以上[6]。同时,该技术似乎蔓延到欧洲大陆[7]。更复杂的设计与VI的概念被提出[7,8]。最近的环境压力,放弃SF6电流作为现在开断和隔离介质,增加VI高电压(HV)的应用。这些最近的变阵一直是研究提出的主要动机。我们广泛的研究了所谓的“4陶瓷”六提供的介电能力设计[7,8]。我们将根据我们的“多个浮动屏障六”的概念介绍我们的两个主要结论。其后将讨论其他VI的电路设计和断路器(CB),最后我们提出我们的测试结果证明这种六紧凑型概念整体的可行性。图1:A:固定接触B:移动接触C:波纹管D/G:中央屏障E:防护物75%F:防护物25%D/G:防护物50%H:,B,C。三个可能的HV-VI屏蔽配置。从左至右(1A)单一浮动屏蔽.(1B)三个浮动屏障.“传统的”(1C)多个浮动屏障六。,。这个概念是基于以下两个独立的观察结果。首先,,屏障物整理在VI中的分布处理的局部击穿电压的影响。其次,,由多个屏障物的整理,不利用在部分放电的介电性能的优势提高触点上的最大电场我们可以实现更紧凑的VI’s。。VI的中等电压往往是一个单一的动屏蔽(图1a),虽然这配置已经提出了高电压应用[4]。最近提的VI’s[7,8]使用陶瓷4,从而导致(至少)两种可能配置的浮动屏(1和1c)。图1b中心防护物D面临两个触点A+B,而在图1c中屏障物G是从两个触点A+B的中间屏蔽E+F。我们期望这些高频率现象在不同情况下运转如同高频电击穿。因此,我们研究的屏蔽低压配电是一个非持续的介电放电(NSDD)或持续时间短的电击穿在这项研究中,这是两个数值(ATP计划)和实验,一个是模拟电源频率测试。一个变压器被用来作为电压源(包括杂散电容和电感)和现实的电容值(介于屏障和触体)基于(接近)最终几何的基础。