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复合晶体管.doc

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文档介绍

文档介绍:复合晶体管
百科名片
  
复合晶体管
复合晶体管,指在IC中,常常把几个晶体管连接起来而构成具有一定功能的晶体管;在分析时一般是把它们当作一个整体来处理。常用的复合晶体管有达林顿(Darlington)-CE复合管、复合p-n-p晶体管等。
目录
达林顿(Darlington)晶体管
CC-CE复合管
复合p-n-p晶体管


  
图1:达林顿晶体管
编辑本段达林顿(Darlington)晶体管
达林顿晶体管是由两个n-p-n晶体管组合而成的一种复合晶体管(见图1);其中第一个BJT(T1)是CC组态(射极跟随器),第二个BJT(T2)是CE组态。从功能上来说,该达林顿晶体管实际上它也就等效于一个CE组态的n-p-n晶体管(极性与T2管相同)。
因为作为射极跟随器的T1和发射极接地的T2这两个晶体管都具有很大的电流增益,因此达林顿晶体管的总电流增益也就更大(总增益等于T1和T2的电流增益的乘积)。达林顿晶体管的输入电阻是由较高的T1的输入电阻与其后面的折合电阻串联而成的,故达林顿晶体管的输入电阻也很高。正因为达林顿晶体管具有很大的电流增益和很高的输入电阻,所以它在IC中得到了广泛的应用。
但是,达林顿晶体管也有若干不足之处。其一是输出电阻很低(因为射极跟随器T1的输出电阻很低,故复合管的输出电阻比单个晶体管的还要低);其二是跨导很小,这是由于其输入电阻很高,以致输入电压的变化难以引起输出电流发生较大变化的缘故;其三是达林顿晶体管的频率特性较差,因为其中T1的集电结势垒电容是一个Miller电容的缘故。其四是多采用了一个晶体管(两个晶体管起着一个晶体管的作用),这在IC中即增加了所占用芯片的面积;然而,构成达林顿管的两个晶体管可以放置在一个隔离区中(因为它们的集电极是连接在一起的,电位相同),这对于集成又是有利的。
  
-CE复合晶体管
-CE复合管
这种复合晶体管也是由两个n-p-n晶体管构成的(见图2),第一个BJT(T1)是CC组态(射极跟随器),第二个BJT(T2)是CE组态,总的可等效为一个CE组态的n-p-n晶体管(极性与T2管相同)。该复合晶体管与达林顿晶体管的差别仅在于T1的集电极不与T2的集电极相连接。这一接法上的小小改动,却对于提高复合晶体管的频率特性大有好处,因为这时T1的集电结势垒电容就不再是Miller电容了;而