文档介绍：第二章内容2半导体二极管及其基本电路半导体器件的优点:体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等。§、半导体材料:1、本征半导体:是一种完全纯净的结构完整的半导体晶体。2、空穴:电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键中所留下的空位。3、半导体区别于导体的一个重要特点是空穴的出现。4、P(3价)、N型半导体(5价)。2019/4/72019/4/7§、PN结的形成:二、PN结的单向导电性。1、外加正向电压(正偏)。2、外加反向电压(反偏)。3、PN结的单向导电性是指正向电阻很小,反向电阻很大,其关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加电压而变化。三、PN结V—I特性的表达式:四、PN结的反向击穿:1、反向击穿;2、反向击穿电压;3、热击穿;4、产生PN结电击穿的原因是:在强电场作用下,大大地增加了自由电子和空穴的数,引起反向电流的急剧增加。分为两类:雪崩击穿:碰撞理论解释;齐纳击穿:杂质浓度大(稳压管,齐纳二极管)。2019/4/7N区的电位比P区高V0,而在PN2019/4/7§、半导体二极管的结构:点接触型:PN结面积小,适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关,也可作小电流整流。面接触型:适用于整流,不宜用于高频电路。二、二极管的-I特性:(同PN结)1、正向特性:2、反向特性:电流很小。3、反向击穿,同PN结。三、二极管的参数1、最大整流电流IF是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。2、反向击穿电压VBR:指管子未击穿时的电压值。3、反向电流IR:指管子未击穿时的反向电流。2019/4/§、BJT(BipolarJunctionTransistor):是通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起的器件。二、BJT(晶体管)分类:1、按频率分:高频管;低频管2、按功率分:大功率管;中功率管;小功率管3、按材料分:硅管;锗管4、按结构分:NPN型:虽然发射区和集电区都是N型半导体,但发射区比集电区掺的杂质多,面积小。PNP型:2019/4/7