文档介绍：并联电容器组对高压SF6断路器内部电场分布的影响
SPANclass=bfont摘要:/SPAN采用模拟电荷法对高压SF6断路器断口附近复杂三维场域进行了电场pc计算,得到了不同截面等电位线的分布情况及电场分布图。计算结果表明,在整个场域中,屏蔽罩和并联电容器组起到了很好的均匀电场的作用;场强较大值出现在静触头小罩形体顶角处。
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SPANclass=bfont关键词:/SPANSF6断路器电场数值分析
1 B引言/B 在高压电器设备的绝缘设计和分析中,数值计算已经成为不可缺少的重要环节,绝缘设计分析的大部分工作是以电场数值计算为基础而进行的。电场数值计算对于分析高压SFSUB6/SUB断路器灭弧室内部的绝缘状况、对各部分结构参数进行优化设计进而改善断路器的介质恢复特性有着重要意义。模拟电荷法以其方法简便、实用性强等特点而被广泛应用于电场计算。基于此,本文应用模拟电荷法对高压SFSUB6/SUB断路器内的三维电场进行了数值计算。计算结构如图1、图2所示,其计算场域是一复杂的三维区域。在实际计算中,考虑了动触头、静触头、喷口及屏蔽罩的存在,尤其是分析了并联电容器组对其内部电场分布的影响,得到了有无并联电容器组时的断路器内部不同截面电场分布图,为与此相关的高压断路器的进一步设计开发提供理论依据和计算工具。
Palign=centerheight=189"/Newspic/2006226/"width=298
Palign=centerheight=171"/Newspic/2006226/"width=261
2 B断路器三维计算场域图及边界条件处理/B
本文分析的超高压SFSUB6/SUB断路器,在动、静触头旁有并联电阻,为了能改善触头附近的电场分布,除在动、静触头两侧分别装设大、小屏蔽罩外,在触头两旁还装设并联电容装置。因此,这种电场分析不能采用传统的认为是一个轴对称场计算问题的分析方法,而应该是一个真正的三维电场的计算问题。
由于计算结构的对称性,图3所示为断路器断口附近实际计算场域的1/4部分。在电场计算中取静触头及连接件为高电位,电压为1000V,动触头及金属连接件为低电位,电位值为0V。
Palign=centerheight=190"/Newspic/2006226/"width=304
3 B模拟电荷法的计算原理与应用/B
模拟电荷法是根据静电场的唯一性定理,在电极内部放置若干个假想的离散电荷,使其共同作用的结果满足给定的电极和介质表面的边界条件,则这一组电荷所产生的场即为满足一定精度的实际电场,进而可求得计算场域中各点的场值。在计算中模拟电荷的种类、数目及与电极表面匹配点之间的匹配关系将直接影响到计算量的大小和计算结果的精确度。模拟电荷法以往主要用于对形状比较简单、规则的形体进行电场的计算分析。对于计算断路器这样复杂的三维场域,采用模拟电荷法尚未见报导,需要做大量的研究工作,其模拟电荷的分布规律、不同形体的位置处理、电荷量的大小等等是一个统筹的优化问题。一般的模拟电荷法计算,是在导体内部设置N个模拟电荷,在边界表面取M(M≥N)个匹配点。这些匹配点的电位φSUB1/SUB,φSUB2