文档介绍：第六章 MCS-51存储器和I/O扩展
§6-1 存储器扩展
§6-2 并行I/O口扩展
§6-1 存储器扩展

一、MCS-51总线扩展结构
1、单片机系统结构
2、单片机总线扩展结构
(1)  地址线与存储器容量的关系
A7~A0: 8根地址线, 有 28=256个单元
A9~A0: 10根地址线, 有 210=1KB
A10~A0: 11根地址线, 有 211=2K
A11~A0: 12根地址线, 有 212=4K
A12~A0: 13根地址线, 有 213=8K
等等
(2)16位地址/8位数据的形成
51系列单片机P0口和P2口既是通用I/O口,同时
P0口还是分时复用的双向数据总线和低8位地址总线
(一般需要加一级锁存器),而P2口则是高8位地址总
线。
低8位地址和数据的区分:ALE高电平信号与P0口有
效地址信号同时出现,ALE下降沿时锁存低8位地址,
ALE低电平时P0口为数据。
高8位地址的形成:有P2口送出高8位地址,A15~A8,在执行MOVX、MOVC指令时P2口数据作
为地址送出,常用来作为RAM、ROM的片选信号。
(3)地址锁存器---74LS373 (8D三态同相锁存器)
①引脚功能:
D7~D0:8位并行数据输入端
Q7~Q0:8位并行数据输出端
G: 为1时D端数据= Q端数据,为0时Q端数据保持。
:片选端,低电平有效
②74LS373的引脚和示意图:

③真值表: G D Q
L H H H
L H L L
L L × 不变
H × × 高阻
3、典型RAM和ROM芯片介绍
1) 半导体存储器的分为:RAM和ROM。RAM分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两种。目前计算机内的主存储器都是DRAM。图示为静态RAM的原理图
2)6116的引脚结构如下图所示
6116----2K SRAM
6116引脚功能
A0~A10
地址线
CE
选片
OE
读
D0~D7
数据线
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
D0
D1
D2
GND
Vcc
A8
A9
WE
OE
A10
CE
D7
D6
D5
D4
D3
6116
写
WE
3)ROM的组成结构
典型的EPROM芯片有Intel公司的2716(2K×8)、2732(4K×8)、
2764(8K×8)、27128(16K×8)、 27256(32K×8)、27512(64K×8)等。
2732---4K EPROM
2732引脚功能
A0-A11
地址线
CE
选片
OE/Vpp
输出允许/编程电源
O0-O7
数据线
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
Vcc
A8
A9
A11
OE/Vpp
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
2732