文档介绍：习题
一、填空题
,具有发射结正偏、集电结反偏的特点。
,具有发射结正偏、集电结正偏的特点。
3. 饱和失真和截止失真属于非线性失真,频率失真属于线性失真。
,它的特点是:输入电阻高(高、低);输出电阻
低(高、低);电压放大倍数约为 1 。
、____中间级_____ 和输出级组成;其耦合方式有__阻容耦合____和直接耦合、变压器耦合三种;集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。
、___共发射极_______和___共集电极。其中输入电阻最大的是共集电极电路,而输出电阻最小的是共集电极电路。
。输入电阻约等于第一级的输入电阻电阻,而输出电阻约等于输出级的输出电阻电阻。
(高/低),而下限频率比任何一级的下限频率都要___高____(高/低)。
,则要求其__高频__频率响应和__低频___频率响应均不产生失真。
,而耦合电容和旁路电容主要影响放大器的__低频____特性。
二、选择题
,放大电路应该采用( A )耦合方式;为了实现阻抗变换,放大电路应采用( C )耦合方式。
A. 直接 B. 阻容 C. 变压器
(A )。
3..直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比,低频特性(A )。
,在组成它的各个单极放大器的截止频率处,总的电压放大倍数下降( A )。
,总的通频带一定比它的任何一级都( D )。
,放大倍数的值约下降到中频时的( B )。
(B ),而低频信号作用时放大倍数下降的原因是(A )。
=0时,能够工作在恒流区的场效应管有( A )和( C )。
A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管
-1 所示各电路能否对正弦信号进行电压放大?为什么?各电容对电信号可视作短路。
(a) (b)
(c) (d)
(e) 题图3-1 (f)
解:图(a):因为输出信号被短路了,所以不能进行电压放大。
图(b):因为输入信号被短路了,所以不能进行电压放大。
图(c)中管子截止,电路不能正常放大。应将RB改接在b极与地之间。
图(d):晶体管基极偏置为零,不能进行放大。
图(e)中会使e结烧坏且输入信号短路,因而电路不能正常放大,之间接偏置电阻RB。
图(f)中电路可以正常放大。
2..电路题图3-2所示,晶体管的,
(1)求电路的Q点、、和。
(2)设,问、若开路则、
题3-2图
解:(1) Q 点:
、和的分析:
,
, 。
(2)设Us = 10mV (有效值),则
;
若C3开路,则:
,
, 。
-3(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。
(1)利用图解法求解Q点;
(2)利用等效电路法求解、和。
题图3-3(a) 题图3-3(b) 题3-3图(c)
解:(1)在转移特性中作直线,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出。如下图所示。
(a) (b)
在输出特性中作直流负载线,与的那条输出特性曲线的交点为Q 点,。如解图(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
; ;
-4所示的电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。若已知:,,,,三极管为硅管,,欲使,问基极上的偏置电阻应为多大?此时和各为多少?
题图3-4
解:根据直流通路可知:
-5所示。设FET参数为:mA,V。当时,判断场效应管是处在恒流区还是可变电阻区?
UDD(+15