文档介绍：IBC工艺流程准备——N型FZSi,电阻率约为。制作前进行了双面抛光,%的HF酸溶液中浸泡,去除金属颗粒等杂质B掺杂——背面( BS)外延B掺杂,形成 P+,制作发射极掩模1——PECVD沉积氮化硅,厚度约 200nm,作为后道工艺的掩模酸洗1——利用去除未经曝光的光刻胶,漏出需要做 BSF的区域,并且用BHF(bufferedhydro ?uoric)去除需要做 BSF区域的氮化硅刻蚀1——利用 HF和HNO3去除BSF区域的Emitter。利用Si的各向异性和氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到 Si和氮化硅的差异性刻氮化硅悬臂,有助于蚀,Si 被腐蚀的速度大于氮化硅,——制作 BSF,形成N+。然后利用 BHF溶液去除旧的氮化硅层( P掺杂时被污染),在重新 PECVD沉积氮化硅层IBC工艺流程前表面(FS)制绒(Texture)——在TMAH(四甲基氢氧化铵) 和IPA(异丙胺)水溶液中利用 110面的特性刻蚀出金字塔结构。FSF和退火——再此去除背面氮化硅层,并在 FS进行P扩散,制作 FSF。然后在850℃和氧气氛围中进行退火, 以激活FS和BS注入的离子。此时,FS和BS形成了10-35nm厚的SiO2层,作为ARC的第一层。第二层ARC——根据 SiO2的厚度,在FS沉积70-45nm厚的氮化硅层,形成双层ARC,并且起到 FS的钝化作用(中和悬挂氢键) 。同时在 BS沉积100nm厚氮化硅层,以增强背面内反射,同时达到背钝化的目的。背接触电极——在整个 BS热蒸发工艺沉积约 2μm厚Al。·分离制作电极——利用特定工艺去除除 BSF接触区和 Emitter区的Al层,形成交叉指状正负电极。IBC工艺流程