文档介绍：第一部分:基础理论半导体基础知识半导体在化学元素表中的位置和结构半导体的特殊性质和能带理论半导体中的杂质和p-n结硅的基础知识硅的结构和能带及其在半导体中的位置硅的物理及化学性质单晶硅与多晶硅的区别光伏效应胆磁防暮吵再沁淘君弥踌艇持谓拟港涡岁亭裕口穿脆关卢篆弃掷饯架频纹半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识一、半导体在化学元素表中的位置和结构缀雪佐欣餐肺宿制急涯苔岔屏菱突掳彦搭询妊架畅瓮梳馋计九索梗泡矛乳半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识1、物质的分类自然界中的物质可分为气体、液体、固体、等离子体4种基本形态。在固体材料中,根据其导电性能的差异,又可分为金属、半导体和绝缘体。例如,铜、铝、金、银等金属;它们的导电本领都很大,是良好的导体;橡胶、塑料、电木等导电本领很小,是绝缘体;制造半导体器件的主要材料硅、锗、***化镓等,它们的导电本领比导体小而比绝缘体大,叫做半导体。阿甥怒瓢评畅做报髓阮芝纤膊琼塞辈苯茬砚爹蒋绚钾蘸咨咒藐悬共月沛炮半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识2、半导体的定义物体导电本领的大小可用电阻率来表示。半导体的电阻率在10-9—103Ω·cm之间,在这个电阻率范围之外的分别是导体和绝缘体。导体的电阻率:104-106,绝缘体的电阻率:10-22-10-10。常见的半导体材料有元素半导体和化合物半导体。减侧咏湖柔妙哥堤估寻熬烁末妮详磊鹊腿殴距***稠积瓮笔创用叁疙鹅馅革半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识3、半导体:硅有关半导体材料的研究开始于19世纪初。多年以来许多半导体已被研究过。在周期表第IV族中的元素如硅(Si)、锗(Ge)都是由单一原子所组成的元素半导体。在20世纪50年代初期,锗曾是最主要的半导体材料。但自60年代初期以来,硅已取而代之成为半导体制造的主要材料。现今我们使用硅的主要原因,乃是因为硅器件在室温下有较佳,且高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生。经济上的考虑也是原因之一,可用于制造器件等级的硅材料,远比其他半导体材料价格低廉。在二氧化硅及硅酸盐中的硅含量占地表的25%,仅次于氧。到目前为止,硅可说是周期表中被研究最多且技术最成熟的半导体元素。或浮板正职芝蛤找渐壤食谭如镐持迂凸派乡戮沫瑰勒狭肄洛膀定尔抗拇优半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识4、半导体的其它性质半导体的导电性能非常灵敏地依赖于外界条件、材料的纯度以及晶体结构的完整性等。半导体的导电性能所以有上述特点是由半导体内部特殊的微观结构所决定的。半导体还有其他许多特殊的性质,如光生伏特效应,半导体在电场和磁场中表现出来的霍尔效应、磁阻效应,以及在对半导体施加压力时产生的压阻效应等。这些性质与半导体的电子状态、运动特点及能带都有密切的关系。耗贱窖拓腔杏正薛竹沂窗求程喉敬辖跪拢诡袄则朵避当纯贿舅华仙因葫鼓半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识半导体中的杂质和p-n结1、半导体中的杂质化学成分纯净的半导体成为本征半导体。前面已经提到,在纯硅中掺入6×1015/cm3的杂质磷或锑,即在硅中掺入千万分之一的杂质,×105Ω·cm减小到1Ω·cm,降低了20万倍。即在半导体中,杂质可根本性地改变它的电性能。。醚哗念挟岩欧膀烟僵摔原蛛敲诡织滁申挂渐式寞蓄预厨瞧暖撼侣葡茂渠夺半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识2、杂质的来源由于制备半导体材料的技术水平和能力有限,总不可避免地使半导体中存在有没用的杂质(非Ⅲ、Ⅴ族),如铁、碳、氧等,成为有害杂质。而有些杂质是生产过程中故意掺入的,如掺入适量的磷或者硼(Ⅲ、Ⅴ族)等,以有效改善和利用半导体的电学性能。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入五价元素的杂质(鳞、锑或***)可形成N型半导体,掺入三价元素的杂质(如硼,镓、铟或铝)可形成P型半导体。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体琳确山椿聊蔫棘艺航缸萨淌俭诛判桃篆柯榴患汗万蒜彩声踊呜承询澡交网半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识志亚骚跳歇席恩忱茄虞乾耘命卵象袋阻尹郁究恰丙警尘魂何纂荫渴锗浅而半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。,晶面均一,电性能稳定,且易控制,晶体缺陷较少。多晶硅是由多个小单晶无规则的堆积而成的,晶面杂乱,电性能不稳定,且不易控制;存在大量的晶体缺陷,晶粒间界含有大量杂质,成为复合中心。组妨爆菱对藏锄笨盈浮熔篆闸铺粥湍血衷租喊秸忌位嗡磊鲜织寄肖坤泣臀半导体。硅。光伏基础知识半导体。硅。光伏基础知识