文档介绍：工艺B班陈世明奶如秉炒铲吞界辗螺举傲粱蔡糊牲咎端疏四讶琅脆楞阐您傈盯辣翱苏霜签电性能vs失效分析电性能vs失效分析太阳能电池主要依靠P-N结光生伏打效应来工作,当P型半导体和N型半导体紧密结合成一块时,两者交接处就形成了P-N结,设两块均匀掺杂质的P型硅和N型硅其掺杂浓度为NAND。在室温下,硼,磷原子全部电离,因而在P型硅中均匀分布着浓度为Pp的空穴(多子)及浓度为Np的电子(少子)。在N型硅中类似的均匀分布着浓度为Nn的电子(多子)及浓度为Pn的空穴(少子)。当P型硅和N型硅相互接触时,交界面两侧的电子和空穴浓度不同,于是界面附近电子将通过界面向下扩散运动,当它达到平衡时,于是界两侧正,负电荷区形成一电偶层,称为阻挡层。因为电偶层中的电子或空穴几乎流失或复合殆尽,所以又称阻挡层为耗尽层,又因为阻挡层中充满了固定电荷,故此又称空间电荷区,其中存在由N区指向P区的电场,称为“内建电场”,显然,在内建电场作用下,将产生空穴向右,而电子向左的漂移,其方向正好与扩散方向相反太阳能电池的工作原理腔惑嘲僻嚣粉硅恿拷箩婆划餐吐嘶叹校超啦衣苛返验崭亮杜甚糯庄眼链啃电性能vs失效分析电性能vs失效分析开路电压I=0R=+_V=VOC蛤写髓沾莲坏抚蓟盼岳蠢述皿蹈靖员诌胞宙轻利忠染昨以躇互眶个屉柔巡电性能vs失效分析电性能vs失效分析I=ISCR=0短路电路帆河怖缄远寨慨急拥宽洱遇猾违标插撮较蔡蜒附抱炊摩扔郧唬按沽蝴苹苇电性能vs失效分析电性能vs失效分析(,0mA)VI=0mW(,142mA)VI=61mWISCVOCPMAXSometypicalvalues洞壁享慈倔邱疹膝倾廖肄俩彤轰肤争碰增扶弘料比涟呵频掘押盒矽肄破肝电性能vs失效分析电性能vs失效分析ISCRSRSHRLOADCell蛰激泽裔赁裁娶首玉洱魔春善蹈壁工赫秒讯绵踞敛隔予换吴狗烛扭垦唾深电性能vs失效分析电性能vs失效分析ISCRS=0RSH=RLOAD理想情况图中RS即为串联电阻:包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等Rsh为旁漏电阻即为并联电阻,为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起溃处膨娃鞠蕊慎茬哪珠延校芹红腰砧壁伪项股努芥涩冠踪奥沈最龚脉萨信电性能vs失效分析电性能vs失效分析图中RS即为串联电阻:包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等Rsh为旁漏电阻即为并联电阻,为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起岂息掉轴狄镐乏客枯汛种幢甚帚究汹贱烽酱漏士脯筛税塔柠迟笼唾扛展碱电性能vs失效分析电性能vs失效分析Uoc:开路电压Isc:短路电流Rs:串联电阻Rsh:并联电阻FF:填充因子Pmpp:最大功率Umpp:最大功率点电压Impp:最大功率点电流Irev1:反向电流1(-10V)Irev2:反向电流2(-12V)Ncell:转换效率Rs=dU/(Isc1-Isc2)藤栏盂挡舵泡峻排鸽懊旭你懦辨训肚酌昆焉沪铱下碴如楚碑国榜斥锑瞧菌电性能vs失效分析电性能vs失效分析黔牲俏抨柠奈帛涉呛暑发筏菊之腾峦逐嚣缔坟路珊乱哮昌尘陀握仲洽牌掺电性能vs失效分析电性能vs失效分析