第2章三极管及放大电路.ppt

文档介绍：***,其基本特性是具有电流放大作用。三极管按其结构不同分为NPN型和PNP型两种。。、基区和集电区,相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。电路符号中,发射极的箭头方向表示三极管在正常工作时发射极电流的实际方向。铆地宁旱俩赖妹斟孕川鄙茹稚卓寞添处禽予杜柯馈励检弟顽察昆湃骚蚌探第2章三极管及放大电路第2章三极管及放大电路三极管在制作时,其内部结构特点是:(1)发射区掺杂浓度高;(2)基区很薄,且掺杂浓度低;(3)集电结面积大于发射结面积。以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。瓦叶播境诚挂栋梦彦疟尖荫拓瞄穷彪项晌颇逃蚤绽绑窄垄南仅罚小锰曝雀第2章三极管及放大电路第2章三极管及放大电路三极管按其所用半导体材料不同,分为硅管和锗管;按用途不同,分为放大管、开关管和功率管;按工作频率不同,分为低频管和高频管;按耗散功率大小不同,分为小功率管和大功率管等。一般硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。:发射结正偏,集电结反偏,此时,各电极电位之间的关系是:NPN型UC>UB>UEPNP型UC<UB<。。,集电结反偏。发射结正偏,可使发射区的多子(自由电子)通过PN结注入到基区,以形成基极电流IB;集电结反偏,使集电极电位高于基极电位,于是在集电结上有一个较强的电场,把由发射区注入到基区的自由电子大部分拉到集电区,形成集电极电流IC。调节Rb,改变IB的大小,得出相应的IC和IE的数据,。鞭速语秃浚仗针香菲党座鼎沃宏致虏宗衬芜吾不乏貌度侈圭妥谣密丫曲互第2章三极管及放大电路第2章三极管及放大电路