文档介绍：膁袁芄虿莇蚁芃罿蒁膈***袆模拟电子技术基础莄莂蚄第四版薇袇莂膂蒀芈羇莄芈清华大学电子学教研组编膃薈膃蒆肄膂童诗白华成英主编芄羁荿聿袄莇肂聿薂自测题与****题解答蕿薅袂肃蒂莁羈莅蒅山东大学物理与微电子学院膄薀芆目录莈肆薃羂羂膈第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3袇袆袈第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14羃肁蚅第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31芆薆莃第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41肅腿艿第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50羀芇羆第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60袂薁肅第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74荿肇袀第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90羃蚀芁第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114螈薃芈第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126羅羂薄第1章常用半导体器件芈芄薀自测题螂膀肈一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。蚇羄蒇(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)袃艿羃(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×)肇螅莀(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√)袅薁膀(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)蒆蒅薅(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其大的特点。(√)蚂螀莃(6)若耗尽型N沟道MOS管的大于零,则其输入电阻会明显变小。(×)腿芅肁二、选择正确答案填入空内。螄肂膁(l)PN结加正向电压时,空间电荷区将A。(2)稳压管的稳压区是其工作在C。(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。、、、后者也正偏蚄蚁蒆(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A、C。、,设二极管导通电压UD=。:UO1=,UO2=0V,UO3=-,UO4=2V,UO5=,UO6=-2V。莁荿莄四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。。袈羄肂蒃螁袈(a)(b):左图中稳压管工作在击穿状态,故UO1=6V。芁节羀右图中稳压管没有击穿,故UO2=5V。膆膅羇莃莀膃五、,VCC=15V,b=100,UBE=。袀袆薃试问:莄