文档介绍：肂艿芃芇螇螇目录袃莁莈虿芆蒂1、MSVC装置概述……………………………………(1)薃膈蒀2、磁控电抗器(MCR)………………………………(2)螈蚅薈3、补偿技术比较………………………………………(7)莃腿肇4、磁控电抗器结构……………………………………(9)袆肅薂5、设计参考资料………………………………………(10)肄芁袀附一、MSVC在水泥行业中的应用…………………(17)附二、MSVC在煤炭行业中的应用…………………(21)芈蒄芀附三、MSVC在电气化铁路行业中的应用…………(27):羆蒆莀目前,无功补偿的主要装置是电容器、电抗器和少量的动态无功补偿装置。开关(断路器)投切电容器组的调节方式是离散的,不能取得理想的补偿效果。开关投切电容所造成的涌流和过电压对系统和设备本身都十分有害。现有静补装置如相控电抗器(TCR)型SVC不仅价格贵,而且占地面积大、结构复杂,不能推广。杭州银湖电气设备有限公司自1998年开始研制新型磁控电抗器(MCR)型SVC(简称MSVC),该装置具有输出谐波小、功耗低、免维护、结构简单、可靠性高、价格低廉、占地面积小等显著优点,是理想的动态无功补偿和电压调节设备。薁肀蚇MSVC装置由补偿(滤波)支路和磁控电抗器(简称MCR)并联支路组成,其中补偿(滤波)支路经隔离开关固定接于母线,通过调节磁控电抗器的输出容量(感性无功),实现无功的柔性补偿。因与原各类补偿装置的主要区别在于磁控电抗器,故下面集中对磁控电抗器(MCR)作介绍。莈袅袂图1动态无功补偿装置(MSVC)(MCR),利用附加直流励磁磁化铁心,改变铁心磁导率,实现电抗值的连续可调,其内部为全静态结构,无运动部件,工作可靠性高。衿螄羁螃羀膀羇蒇薀蒃羁芅肆袆芅芃蝿薁图2单相磁控电抗器铁心、线圈示意图蒈芆肈磁控电抗器采用小截面铁心和极限磁饱和技术,单相四柱铁心结构电抗器结构如图2所示,在中间套有线圈的两工作铁心柱上分布着多个小截面段,在电抗器的整个容量调节范围内,大截面段始终工作于未饱和线性区,仅有小截面段铁心磁路饱和,且饱和的程度很高。羄袀芈图3为铁心理想磁化曲线示意图,曲线中间部分为未饱和线性区,左、右两边为极限饱和线性区。若使电抗器工作在极限饱和线性区,不仅可以减小谐波含量,同时亦能大幅降低铁心磁滞损耗,电抗器铁损控制在理想状态。。在磁控电抗器的工作铁心柱上分别对称地绕有两个线圈,其上有抽头,它们之间接有可控硅、,不同铁心的上下两个主绕组交叉连接后并联至电源,续流二极管接在两个线圈的中间。蒅虿肇肇薄蒅图4磁控电抗器原理接线图羁螀莃当磁控电抗器主绕组接至电源电压时,在可控硅两端感应出1%左右的系统电压。在电源电压正半周触发导通可控硅,形成图5(a)所示的等效电路,在回路中产生直流控制电流;在电源电压负半周触发导通可控硅,形成图5(b)所示的等效电路,在回路中产生直流控制电流。两个可控硅在一个工频周期轮流触发导通,产生直流控制电流,使电抗器工作铁心饱和,输出电流增加。磁控电抗器输出电流大小取决于可控硅控制角,控制角越小,产生的控制电流越强,从而电抗器工作铁心磁饱和度越高,输出电流越大。因此,改变可控硅控制角,可平滑调节电抗器容量。由上分析可知,磁控电抗器具有自耦励磁功能,省去了单独的直流控制电源。膆羃***蚁袁螆(a) (b)薈蚇薅图5可控硅导通等效电路蒂虿蕿 (TCR)小50%。如图6所示,图中横坐标为电抗器输出基波电流标幺值,基准值为额定基波电流,纵坐标为电抗器产生谐波电流标幺值,基准值为额定基波电流。可见最大3次谐波电流为额定基波电流的7%左右,%左右。