文档介绍：回顾与总结二极管的伏安特性曲线可以分为几个区?其中整流二极管一般工作在什么区?稳压二极管工作在什么区?发光二极管工作在什么区?光电二极管工作在什么区?如何测量普通二极管的好坏?如何测量稳压二极管的好坏?如何测量发光二极管的好坏?如何测量光电二极管的好坏?设计二极管稳压电路要考虑哪些具体事项?第0章作业讨论什么是电信号?为什么要将非电的物理量转换成相关的电信号??数字信号有什么优点???第1章作业讨论1自由电子导电和空穴导电的区别在哪里?2何谓杂质半导体?N型半导体中的多子是什么?少子是什么?3P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?N型半导体是否带负电?4何谓死区电压?硅管和锗管死区电压的典型值各为多少?为何会出现死区电压?,会出现什么问题??能否说明二极管工作在各个区时的电压、电流情况?7现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,。试问:(1)若将它们串联相接,可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,可得到几种稳压值?各为多少?8在右图所示电路中,发光二极管导通电压UD=,正向电流在5~15mA时才能正常工作。试问R的取值范围又是多少?:三区、两结和三电极;分类:NPN型和PNP型。发射极e发射结集电结基区发射区集电区集电极c基极bNPN型PNP型PPNNPN型三极管图符号ecb注意:图中箭头方向为发射极电流的方向。(1)发射区掺杂浓度很高,以便有足够的载流子供“发射”。(2)基区很薄,且掺杂浓度极低,减少载流子在基区的复合机会。(3)集电区体积较大,掺杂浓度界于发射极和基极之间。便于收集边缘载流子。可见,三极管并非是两个PN结的简单组合,因此,绝不能用两个二极管来代替,使用时也决不允许把发射极和集电极接反。晶体管实现电流放大作用的外部条件NNPUBBRB+-(1)发射结正向偏置,以利于发射区电子的扩散,扩散电子的少数与基区空穴复合,形成基极电流ib,多数继续向集电结边缘扩散。UCCRC+-(2)集电结反向偏置,以利于收集扩散到集电结边缘的多数扩散电子,收集到集电区的电子形成集电极电流ic。IEICIB发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和,即:IE=IB+IC三极管的集电极电流IC稍小于IE,但远大于IB,IC与IB的比值在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小的变化时,集电极电流将发生较大的变化。例如,IB由40μA增加到50μA时,,即:显然,双极型三极管具有电流放大能力。式中的β值称为三极管的电流放大倍数。不同型号、不同类型和用途的三极管,β值的差异较大,大多数三极管的β值通常在几十至几百的范围。由此可得:微小的基极电流IB可以控制较大的集电极电流IC,故三极管属于电流控制器件。,是三极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看,外部特性更为重要。(1)输入特性曲线以常用的共射极放大电路为例说明UCE=0VUBE/VIB/A0UCE=RC++RB令UBB从0开始增加IBIE=为0UCE=0时的输入特性曲线UCE为0时UCE==0VUBE/VIB/RC++让UCE==1VUCE===1V令UBB重新从0开始增加UCE=1VUCE=使UCE=1V以上的多个值,结果发现:之后的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同,曲线基本不再变化。与二极管的正向特性相似。UCE>1V的特性曲线