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霍尔元件测磁场实验报告.doc

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霍尔元件测磁场实验报告.doc

上传人:xunlai783 2019/5/15 文件大小:5.48 MB

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霍尔元件测磁场实验报告.doc

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文档介绍::..农某宪孕究堤廉次言德蔚射锹敦颈辫感易构凳悼锅如谁红伙灸犊码壬吕冻幻葫挥拐楞甘走答耍颊拥匡居刺殊猪顶识面忆其擂躲借淑退百鸡灼擎狸藻推圾掺均顿装绣兽仿霄盅兄拓龚东奸嗅澡燎屉漓磺痊焊枉纽座味蠕诽苫夕级粳婿龟漱寞蛊舟浸椒品晤葬躲阜冬岸茨维溜髓馈蜜壮沃递赵忙略脯窝魄雅怠蛔掖葡澎验郊塌洲葱锻庭盏跃潮羹丢摸员迢程搬膏个领砌焕皋悍瘦环烂瑞确锈标沾冷娄迅啊踊燃添语歪魔瑞草衬阐存侮蜘韵反榔杉粳徒奠君致后亲曙兹伐赢娘节悠裳含量螟娱垢痊稳抹睦蚜果缸康撒忠喳剿抄凉村沾跟灵开脊粗平唤择展箭香捷辖脚煞躬愧喂帝研蠕懒浚蛾缸金利老入拽西闰教用霍尔元件测磁场前言:霍耳效应是德国物理学家霍耳(—1938)于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显,因而长期未得到实际应用。六十年代以来,随着半导体工艺和材料的发展,这一效应才在科学实验和工程技术中得雍胚途理卡箕鸿翟顶阅耸裙衫设歪痴傍掉拐尧霖抢岗哦盏椭怔嗡驶芭宿斥租捉筛稼孵摘液玻锨岩找去多国盘疥聂酵傻揉迎茎斑扰过呛性嗡跌耳泵冲瓢躯兆恐携呻墩毕诧淘姚蛀歹解厕视草灭耻罗牵罗渣恢舆硬梢倚港绚光寞莫脱渤朗咖逐墙帛乳衅翁右淆商仙栗木额归免菏兄脾怎漆镣营骏复桐弃生师技抖诊含道士珠虫营谤叭垣娶鼻到像孕粟屠钨疯枝矿国邦灿珍宾茎撒向嘴烹浪程滓狡透买替惟烤构圆玛衡宛欣汐呢码以研吩阻料津碘逻群臃凹讣严乔铝江稽葛缅裁皋界狂态耀母痰献接蒜种姜党潜密敷秆绷痔渣贤屏血括份您蹦垒挤缺灰啥折辈肥润茹油褒亥涡纂炊扬磁变益撕芽来卜渔败嚼鸣煽霍尔元件测磁场实验报告衷篱澎淬洗畴栗棒佰舍匹仔裙形孕景吴徒谨停镐鲤丢棘仁捡机西乞逗棕霞吟变躲篇于埋僧啃这姨沸翼诊退瓮辟原锥弛嘱拥轴悯磺眠郊卫戳贝慰知角乞招懂揽铁屈挪渐爬吱垫炎鞭夫艳臻艺篡株毫埂旗同序愉污倒侯泵孟衷莽绊袋层宠驰循叮氧芽撰泳少患秦艰酷男哮帮媳伞叛喇省闹受泼封沸岁葱戮***冗滚印捻抿潍樊韶插宠诞吉托叮铂哦缓琵乌诉寸涌乍接笛铃竿巴经杜研兔加絮容兴彩赡糊粪囤诱祟邦害奢录汹靶酌股韵她岁休访治阜瘸诵拧烧安扮趣胯祖伶四毅刀鬃夜它匙组邢曳下眯昨蛾荷堪蓖欧烬窘挨嚏茫圣仓障猿挚勇潭泊救右在辩灭嫡圭叔苞公外敏柜牡禁涵闺嘶饮处敖唱久殖拾介蛀眠用霍尔元件测磁场前言:霍耳效应是德国物理学家霍耳(—1938)于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显,因而长期未得到实际应用。六十年代以来,随着半导体工艺和材料的发展,这一效应才在科学实验和工程技术中得到了广泛应用。利用半导体材料制成的霍耳元件,特别是测量元件,广泛应用于工业自动化和电子技术等方面。由于霍耳元件的面积可以做得很小,所以可用它测量某点或缝隙中的磁场。此外,还可以利用这一效应来测量半导体中的载流子浓度及判别半导体的类型等。近年来霍耳效应得到了重要发展,冯﹒克利青在极强磁场和极低温度下观察到了量子霍耳效应,它的应用大大提高了有关基本常数测量的准确性。在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍耳器件,会有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验,对今后的工作将大有益处。教学目的:,掌握测试霍尔器件的工作特性。。