文档介绍：硅片制绒和清洗
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目录
硅片表面损伤层的形成及处理方法
绒面腐蚀的原理
影响绒面质量的关键因素及分析
工艺控制方法
化学清洗原理
安全注意事项
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概述
形成起伏不平的绒面,增加硅片对
太阳光的吸收
去除硅片表面的机械损伤层
清除表面油污和金属杂质
硅片表面处理的目的:
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硅片表面的机械损伤层
(一)硅锭的铸造过程
单晶硅
多晶硅
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硅片表面的机械损伤层
(二)多线切割
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硅片表面的机械损伤层 (三)机械损伤层
硅片
机械损伤层(10微米)
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硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)
线切割损伤层厚度可达10微米左右。
一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀
~1min以达到去除损伤层的效果,此时的
腐蚀速率可达到6~10um/min 。
初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。
对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。
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硅片表面的机械损伤层 (三)切割损伤层的腐蚀(初抛)
若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。
硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。
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金属杂质对电池性能的影响
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制绒:表面织构化
单晶硅片表面的
金字塔状绒面
单晶硅片表面反射率
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