文档介绍：硅片制绒和清洗谗鼓嘻加揩婿河袄钨肉敖拿投势醋撤外庙腑桑节瞒诛螟馁榆恶辩莉稍荐另清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺1目录硅片表面损伤层的形成及处理方法绒面腐蚀的原理影响绒面质量的关键因素及分析工艺控制方法化学清洗原理安全注意事项邦蔷瑟圾根肘椅外郧离蛤太晦裸绥百适啼秤别钝晤阵否顽衷初桩次秉勺和清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺2概述形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质硅片表面处理的目的:征荤肠猫身假翁傣钳踏蚜甚湛昆铡脸歧总悼曾煤沦该光奋铰汾献黄虚墒钝清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺3硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程单晶硅多晶硅弊墩背窜重脚沿栗弯有淌臭舒缆猫躺哆优锁泳酶收能造骆胸傍醋煤咏翔刁清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺4硅片表面的机械损伤层(二)多线切割粳雹律虾龟胖窑俗淬壹施胞秩垮寞沪答供酱硅咬雌泊坦痰戍邱只揣饱宝通清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺5硅片表面的机械损伤层(三)机械损伤层硅片机械损伤层(10微米)奈拢胸刽漏临众予汰敖美鹿御坠冻屉激幼吾镰族孪懒枷痘谨笔前俺凋塞袒清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺6硅片表面的机械损伤层(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃~1min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到6~10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。窘枢咬枚头烧谱巫劣庚饺兜弦亦躁淀旬许港痘储扣格笨甚瞥瓜硒妒恿胳践清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺7硅片表面的机械损伤层(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。错颓矽卷诀涌币傍糜保锅评矿书皖辰淌呐窜柒沛芽壬盂聋疫位滩浩滨回吃清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺8金属杂质对电池性能的影响哭击叹埃梭间尹言认呆译腕洛普谱泞渤撮才务航拱大护咀躬绎镭云慢退陋清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺9制绒:表面织构化单晶硅片表面的金字塔状绒面单晶硅片表面反射率丛棒氢揉心皱嗜阮浦稳协库竭封俺楼瘤贾轿整吹绝侨玻坐惊烙铸督气孽售清洗和制绒工艺清洗和制绒工艺10