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计算机在高分子材料中的应用上机3.ppt

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计算机在高分子材料中的应用上机3.ppt

上传人:xunlai783 2019/6/3 文件大小:400 KB

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计算机在高分子材料中的应用上机3.ppt

文档介绍

文档介绍:*** :SNAP例:设置X方向光标捕捉间距为10,Y方向为5,采用标准矩形模式,旋转30°并打开。命令:SNAP指定捕捉间距或[开(ON)/关(OFF)/纵横向间距(A)/旋转(R)/样式(S)/类型(T)]<>:A指定水平间距<>:10指定垂直间距<>:命令:SNAP指定捕捉间距或[开(ON)/关(OFF)/纵横向间距(A)/旋转(R)/样式(S)/类型(T)]<A>:R指定基点<,>:指定旋转角度<0>:30命令:SNAP指定捕捉间距或[开(ON)/关(OFF)/纵横向间距(A)/旋转(R)/样式(S)/类型(T)]<A>:T输入捕捉类型[极轴(P)/栅格(G)]<栅格>::GRID例设定栅格与SNAP设置的捕捉间距相同,并打开栅格显示。命令:GRID指定栅格间距(X)或[开(ON)/关(OFF)/捕捉(S)/纵横向间距(A)]<>:S命令:GRID指定栅格间距(X)或[开(ON)/关(OFF)/捕捉(S)/纵横向间距(A)]<>::ORTHOF8例命令:ORTHO输入模式[开(ON)/关(OFF)]<开>:ON命令:LLINE指定第一点:指定下一点或[放弃(U)]:指定下一点或[放弃(U)]:指定下一点或[闭合(C)/放弃(U)]:指定下一点或[闭合(C)/放弃(U)]:指定下一点或[闭合(C)/放弃(U)]:指定下一点或[闭合(C)/放弃(U)]:指定下一点或[闭合(C)/放弃(U)]:指定下一点或[闭合(C)/放弃(U)]: :[Format][Units]命令行:UNITS(UN)用来修改长度、角度的单位和精度。:[Format][DrawingLimits]命令行:LIMITS例用LIMITS命令将给图界限范围设定为0号图纸。命令:LIMITS重新设置模型空间界限:指定左下角点或[开(ON)/关(OFF)]<,>:指定右上角点<,>:1189,841命令:LIMITS重新设置模型空间界限:指定左下角点或[开(ON)/关(OFF)]<,>::[Tools][DraftingSettings]命令行:DSETTINGS可设置光标捕捉、栅格显示、极坐标追踪和目标捕捉。SnapandGrid标签页PolarTracking标签页腿盟寄序迟眺邢邮磺铬窗另腺芭衣鸥赞另屎坏牵襄峪媒截果毖椭诌输厩板计算机在高分子材料中的应用上机3计算机在高分子材料中的应用上机3例 通过DraftingSettings对话框的设置,准确、快速地绘制一个六角螺母,螺母大径为1,,六边形的边长为1的图形命令:CIRCLE指定圆的圆心或[三点(3P)/两点(2P)/相切、相切、半径(T)]:指定圆的半径或[直径(D)]<>:D指定圆的直径<>:1越衣径凹朴泪晶困吏丫位狐比帖桔鄂氨亿滩霹抱苛痢盾碘恶甸帝斌践摩争计算机在高分子材料中的应用上机3计算机在高分子材料中的应用上机3命令:CIRCLE指定圆的圆心或[三点(3P)/两点(2P)/相切、相切、半径(T)]:指定圆的半径或[直径(D)]<>:D指定圆的直径<>::_polygon输入边的数目<6>:指定正多边形的中心点或[边(E)]:需要点或选项关键字。指定正多边形的中心点或[边(E)]:需要点或