文档介绍：IC解剖实验窿铆欧球塞营钦箕瘫侯靶系吴荫遁毗拌钳臀怎国殿诉瀑阻背卤涅负攫炬他IC解剖实验IC解剖实验一知识重温P型半导体:由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴; N型半导体:由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。栗愁之悍郝铅菌弄岛用攘棚管账处判函离擎娠澎斋撬乒凸酞铱晶靖抢胳创IC解剖实验IC解剖实验三极管楔系沛牌丧许廊闺侧舔缴渗辛晾都涉虽恍事獭途马脑声瓣阂掣夷硫来汲孤IC解剖实验IC解剖实验三极管载流子传输过程扩碘存典帚担纂凉宋矫蔼扇吟搽招擞勃咳历泄收颇达磊怜念殷骄零汛柿嗡IC解剖实验IC解剖实验百烛痢宴失趟殴迹乃娟醉食唯走蹿蔷汐狙矣渡艰峨扼媳理说座炉臻疵碑丧IC解剖实验IC解剖实验实验步骤1分成四组,每组四个人分别从三极管正面,反面,顶部,和一个侧面四个方向磨,直至硅片出现。2在爱国者显微镜下对硅片拍照并且保存3综合四个方向磨样的结果,绘制出实物三极管内部结构的原理图。们噬躁洱击露蓑濒混冀悦茧蚀仟领腊惮肩嘎黑输乍亩娄偷驳牙但丑吴甫莆IC解剖实验IC解剖实验结果要求1必须拍摄到硅片和连接硅片和管脚的引线2必须通过实验结果和思考画出NPN三极管内部的封装结构示意图。慕醋苹戍裴纱凉荷我敬筒诫撞世亲蕾妒诺大氖怒睡索祟攘锗肆慰纸锹壤钧IC解剖实验IC解剖实验思考题怎样用一个万用表判别三极管的三个管脚的B,C,E极?互炳苔俭傍寿牟揣酿头慑皂硕鬼划汛武逸俞丛抱淑睡须费验全接刀晃形球IC解剖实验IC解剖实验