文档介绍：=(B2L2vm-FfR)/(B2L2)=(4B2L2vm+FfR)/(4B2L2)=(4B2L2vm-FfR)/(4B2L2)=(2B2L2vm+FfR)/(2B2L2)【解析】导体棒ad和bc各以相对磁场的速度(v-vm)切割磁感线运动,由右手定则可知回路中产生的电流方向为abcda,回路中产生的电动势为E=2BL(v-vm),回路中电流为:I=2BL(v-vm)/R,由于左右两边ad和bc均受到安培力,则合安培力F合=2×BLI=4B2L2(v-vm)/R,依题意金属框达到最大速度时受到的阻力与安培力平衡,则Ff=F合,解得磁场向右匀速运动的速度v=(4B2L2vm+FfR)/(4B2L2),B对.【答案】 B莲山课件原文地址:i/gaosan/,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁场的磁感应强度B1=,方向垂直纸面向里,电场强度E=×105V/m,,有垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度为B2的匀强磁场,磁场边界AO和y轴的夹角∠AOy=45°.一束带电量q=×10-19C,质量m=×10-26kg的正离子从P点射入平行板间,沿中线PQ做直线运动,穿出平行板后从y轴上坐标为(0,)的Q点垂直y轴射入磁场区.(正离子重力不计)  (1)离子运动的速度为多大?  (2)要使离子都不能打到x轴上,AOy区域内磁感应强度大小B2应满足什么条件?  (3),试求正离子经过x轴时的区域范围.(1)设正离子的速度为v,由于沿中线PQ做直线运动,则有          (2分)      代入数据解得 v=×105m/s                                     (1分)(2)如图所示,由几何关系可知使离子不能打到x轴上的最大半径                (2分)设使离子都不能打到x轴上,最小的磁感应强度大小为B0,则                       (1分)代入数据解得     (1分)      则           (1分)(3)当,由 得r2= (1分)由轨迹可知,则离子经过x轴上的N点,ON=r2=                                     (2分)当,由 得r3=   (1分)由轨迹可知,离子经过x轴上的M点,OM=r3=                     (2分) 则离子经过x轴时的区域范围为           (1分)如图17-12甲所示,由均匀电阻丝做成的正方形线