文档介绍：第一部分考试试题
第0章绪论
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,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写?
,半导体集成电路分为哪几类?
,半导体集成电路分为哪几类?
?它对集成电路工艺有何影响?
:集成度、wafer size、die size、摩尔定律?
第1章集成电路的基本制造工艺
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,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响?。
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?并请提出改进方法。7. 请画出NPN晶体管的版图,并且标注各层掺杂区域类型。
,并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应
?。
什么是集成双极晶体管的无源寄生效应?
3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应?
4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?
5. 消除“Latch-up”效应的方法?
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7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?
第3章集成电路中的无源元件
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3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流
静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间
2. 分析四管标准TTL与非门(稳态时)各管的工作状态?
3. 在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以及带来那些困难。
4. 两管与非门有哪些缺点,四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善,并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
5. 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善,分析改进部分是如何工作的。
6. 画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。并说明为什么有源泄放回路改善了传输特性的矩形性。
7. 四管与非门中,如果高电平过低,低电平过高,分析其原因,如与改善方法,请说出你的想法。8. 为什么TTL与非门不能直接并联?
9. OC门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现TTL与非门并联的问题。第5章MOS反相器
1. 请给出NMOS晶体管的阈值电压公式,并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响(即各项在不同情况下是提高阈值还是降低阈值)。2. 什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?
3. MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?
4. 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
5. 什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?
6. 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
,指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程(忽略沟道长度调制效应和短沟道效应)。
,分析其工作原理及传输特性,并计算VTC曲线上的临界电压值。
:给定VDD=5V,KN`=30uA/V2 ,VT0=1V
设计一个VOL=,并确定满足VOL条件时的晶体管的宽长比(W/L)和负载电阻RL的阻值。
:VDD=5V,KN`=20uA/V2 ,VT0=,RL=200KΩ,W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值(VOL、VOH、VIL、VIH)及电路的噪声容限,并评价该直流反相器的设计质量。
=,增强型驱动晶体管VT0=1V, VDD=5V 1)求VIL和VIH 2)求噪声容限VNML和VNMH
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?简述其优缺点。