文档介绍：第三章电磁屏蔽技术
屏蔽材料的选择
实际屏蔽体的设计
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杨继深 2002年8月
电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1
屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:
SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB
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杨继深 2002年8月
实心材料屏蔽效能的计算
入射波
场强
距离
吸收损耗A
R1
R2
SE = R1 + R2 + A+B
= R+ A+B
B
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杨继深 2002年8月
吸收损耗的计算
t
入射电磁波E0
剩余电磁波E1
E1 = E0e-t/
A = 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) dB
A = ( t / ) dB
A = t f rr dB
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杨继深 2002年8月
趋肤深度举例
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杨继深 2002年8月
反射损耗
R = 20 lg
ZW
4 Zs
反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。
ZS = 10-7 f r/r
远场:377
近场:取决于源的阻抗
同一种材料的阻抗随频率变
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杨继深 2002年8月
不同电磁波的反射损耗
远场: R = 20 lg
377
4 Zs
4500
Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离(m)
f = 电磁波的频率(MHz)
2 D f
D f Zs
Zs
电场: R = 20 lg
磁场: R = 20 lg
dB
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杨继深 2002年8月
影响反射损耗的因素
150
1k 10k 100k 1M 10M 100M
平面波
3 108 / 2r
f
R(dB)
r = 30 m
电场r = 1 m
靠近辐射源
r = 30 m
磁场 r = 1 m
靠近辐射源
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杨继深 2002年8月
综合屏蔽效能()
150
250
平面波
0
1k 10k 100k 1M 10M
高频时
电磁波种类
的影响很小
电场波 r = m
磁场波 r = m
屏蔽效能(dB)
频率
凉役速辜好碗抛炮握孵死詹藤寞滚嗡骸锐纵镣洲润廷溅眠喳揍藩结缨畅猜电磁兼容屏蔽电磁兼容屏蔽
杨继深 2002年8月
多次反射修正因子的计算
电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。
B = 20 lg ( 1 - e -2 t / )
说明:
B为负值,其作用是减小屏蔽效能
当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略
对于电场波,可以忽略
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杨继深 2002年8月