文档介绍：计算公式:半导体物理书上也有载流子迁移率的公式,但是上面的是带有平均自由时间的公式,经过变换推倒,就成了上面的那个公式,因此要用vasp计算的参数有,Sl,me,md,El这四个参数,其他的都是常数,可以查询出来带入公式。参数:Sl,就是需要我们先用vasp计算出声子谱,我们要对声子谱求导,取导带底处的值,对应的就是电子迁移率的Sl所以需要学会怎么使用phonopyme:就是电子的有效质量,要用origin对能带图求二次导,取导带底对应的值。md:mx就是布里渊区X方向的有效质量,my就是y方向的有效质量,先用笔算出G到K,M向量,然后分别作这两个向量的垂直向量,在这两个向量方向上取20个权重为0的点,放到KPOINTS中,按照以前的方法,算出来的能带就是x方向上的和y方向上的,然后就可以算出x,y方向上的有效质量。El:把公式变形一下,El,放在一边,其他的放在另一边,δV就是原来晶胞的体积改变量,δE就是对应能量的该变量,V0就是晶胞原来的体积,也就是说,我要把原来的晶胞任意改变一下大小,算出导带底能量的变化量,进而就算出了El这个量。以上这四个量算出来之后,带入公式计算就可以得出电子的迁移率公式。电子迁移率主要受到:声学支波散射,光学支波散射,电离杂质杂质散射的影响,因为后二者没有第一个影响大,所以我们计算的迁移率包含的就是在声学支波散射作用下的迁移率。(半导体物理书上都很仔细的介绍。)