文档介绍：北京工业大学硕士学位论文题英文并列目:直够渲邀电王堂皇固链电王堂研究方向:超直建显题结墨鲑医建新熬援研究生姓名:专导职称:讶跣┨胘垦塞壶麴圈匿圣墨国鹉单位代码:业:师:论文报告提交日期:焐旦学位授予日期:鹉臼授予单位名称和地址:分类号:学号:密级:
电流增益∥、特征频率办、功率增益妥罡哒竦雌德嗜绲戎匾5牟问副晟要软件对器件的直流特性进行模拟分析。,在最摘度的前提下,⒅艹っ婊忍岣ィ⑸本论文主要论述了高频大功率纳杓品椒ǎㄗ菹蚪峁辜昂嵯结构设计。详细介绍了器件制备的工艺流程,包括岛形隔离及掩埋金属自对准工艺的具体实施步骤。简述了姆⒄估罚乇鸾樯芰舜蠊β蔛姆⒄估罚姆⒄褂τ们熬啊简要介绍了畑牧系募钢只咎匦浴NA思跣∑骷募缂ù5阻,对高阻衬底进行亚集电区扩散,计算扩散条件,对扩散结果用电化学甐测试手段进行分析。介绍了超高真空气相外延材料生长方法以及对材料生长质量进行分析的有效方法:分析方法和治龇椒ā详细介绍了纳杓品椒ḿ案咦璩牡椎挠旁叫浴U攵怨卜⑸浼绷计出各纵向结构参数的合理设计范围。器件的纵向结构设计包括各层的厚度及掺杂浓度,特别介绍了基区和牟粼铀胶筒粼幽J健:嵯蚪峁股杓浦饕=绍了发射极版图的设计,包括发射区的面积,周长,以及发射区的条宽、条长。为了降低衬底对器件性能的影响,减小寄生参数,采用了以高阻衬底和大面积深刻蚀工艺为基础的岛型隔离方法。详细介绍了掩埋金属自对准工艺的工艺流程。掩埋金属自对准工艺与传统双台面工艺比较,在不提高光刻设备分辨率和精结面积⑸浼婷婊和固定条长下的等效条宽均降低%,基极接触面积不变时集电结面积婷婊降低%以上,集电极接触面积提高~倍以上,为提高器件性能、降低工艺难度和提高版图设计灵活性打下坚实的基础,而且用剥离金属的方法可以使整个工艺流程在低温下进行。最后,用模拟软件对器件的高频特性进行模拟,用高振荡频率为时器件的功率增益达。在时器件的输出功率达6云骷闹票附峁蟹治觯⒍韵乱徊揭=械墓ぷ魈岢隽私ㄒ椤关键词:;高频大功率;高阻抗衬底;掩埋金属自对准工艺以及摘要
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日期:诲篁:印签名:罱铭沽独创性声明关于论文使用授权的说明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得北京工业大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。本人完全了解北京工业大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留送交论文的复印件,允许论文被查阅和借阅:学校可以公布论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。C艿穆畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑导师签
第一章绪论引言牧系目煽豱型和筒粼优ǘ确段Т!痗年朗讯科技公司所属贝尔实验室的一个研究小组发明了双极晶体管以后,半导体器件的研究有了根本性的突破。双极晶体管是最早的具有放大功能的固体器件,一直在高速电路、模拟电路和功率电路中占有主导地位。随着无线通讯市场的发展,对于应用于这些通讯系统的器件也有了更高的要求,而高性能的高频功率放大器是这些系统中一个关键性的模块,由于晶体管具有良好的功率传输特性和线性特性,利用晶体管实现有效的功率放大已成为一种共识。近年来,硅双极晶体管的制造技术有了很大的发展,器件纵向和横向尺寸大大减小,使得器件性能得到很大改善。在当今的半导体市场中硅基器件占了绝大部分份额,其主要原因是其价格低廉。的低价位来源于其越来越高的集成度。能达到如此高的集成度是由材料本身特定优势决定的:米鱏骷衾搿⒍刍蛴性床愕木到橹蔛纳そ衔H菀祝质量也很高。壳吧玫腟ゾе本洞,且几乎无缺陷,这使得集成电路的成品率很高,成本降低。娜鹊悸矢撸际荊倍,散热效果好,可承受更高的集成密度。强度高而利于工艺处理,易实现低阻欧姆接触以减小寄生效应,并且材料来源丰富,易提纯。以上的优势是甐材料无法比拟的。从集成电路的生产角度,无疑是目前理想的材料。尽管集成电路非常适用于微处理器和存储器,但在高频段电路中的应用却受到限制,因为的载流子迁移率相对甐材料低得多的电子迁移率,为魋,为。另一方面,虽然随着工艺技术的提高,根据“按比例缩小的原理”,器件的尺寸按摩尔定律不断减小,使得器件集成度性能以及速度不断提高。但由于物理极限的原因,器件尺寸不能无限制地缩小。但是面对市场对具有更高性能集成电路的不断需求,生产企业很
耶姆⒄估芳跋肿⒄估技术相兼容的材料体系一逐渐为人们重视。由于年代中期两种新颖的外延生长技术一金属有机物化学汽相淀积难放弃已有的