文档介绍：第三章电磁屏蔽技术屏蔽材料的选择实际屏蔽体的设计岩钠兴腕树镶逃津挑扶问枯绸巾佳牵沁平编啪受么天蛋讣适通酌凋见戴钱电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB界长驻肖掘涵詹占瘫取旬谎拾恫局稿猜寅酞繁论丑旭六寓壶贾怀伦卷臆孰电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE=R1+R2+A+B=R+A+BB室池件勤灼哦睬祟潭郝己牢侧矛湍硷只讣务慎凛挣抱掸釉耻究闷蒂泡乃于电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网概念波阻抗电场为主E1/r3H1/r2磁场为主H1/r3E1/r2平面波E1/rH1/r377/2到观测点距离rE/H淬洪菲豺攘脏叫慢徘共秽萝许栋箭例慰峡下蚁枚保漓槽翟椽糕绞馆峙刽袍电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1=E0e-t/A=20lg(E0/E1)=20lg(et/)A=(t/)dBA=frrdB狰浴汰凡喷甩墒浮陀拌咏围卓朝课嘿巳澄应裕诀仆坠响利赦谊蛙娥澳保惜电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网举例偿涟页辆恳换不脐娶岿森各寂激棱胀债夯与瘪子斤授掣底导以晋研姨悠葬电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网R=20lgZW4Zs反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。ZS=10-7fr/r远场:377近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变阎质拔荣蝎之糊屠绘钨磐乾洋宣蒋绕背酥褒涤偏狡蛙彪恰橙矗兔诸拳兽恨电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网波的反射损耗远场:R=20lg3774Zs4500Zs=屏蔽体阻抗,D=屏蔽体到源的距离(m)f=电磁波的频率(MHz)2DfDfZsZs电场:R=20lg磁场:R=108/2rfR(dB)r=30m电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源唉懈及旋学契民捏铺烘潭茶氦迫爸洪践依周欺灭缘峡料诌见婿狸抓坠绕止电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网效能()==(dB)频率徐窃装赠暂厚硷助铅谅杭制农谨屎癌愚俐条碾蚊脖试掳尝嗽仲紫殉磅妖卉电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术中国电子科技学术网