文档介绍：,方法的优劣可从粒子纯度、表面的清洁度、粒子粒径、粒度分布可控性、粒子几何形状规一性、是否易于收集、粉体团聚程度、热稳定性六个方面加以评价。通过控制所制备陶瓷粉末的颗粒度、表面状态,还是纯度、均匀性等指标,提高陶瓷的烧结性能和机械性质,部分满足了陶瓷科学中“低”温快速烧结高性能陶瓷的要求。本方案要求制备出98%的亚微米α-Si。工业化生产的SiC多为大结晶块,需要进一步的粉碎、分级才能作为原材料使用。SiC属于超硬物质(~[1]),微粉制备多采用球磨机、振动磨机并加入聚二乙醇醚、聚丙烯酸(酯)、交磷酸钠等助磨剂进行。宋希敏等人[2]研究了PL型立式冲击破碎机在碳化硅行业中的应用,其破碎能力强,颗粒形状好。唐威等人[32]研究了惯性圆锥破碎机。此种设备能耗低,产量高。卢迪芬[3]等人对粉碎及分离制备SiC片晶工艺进行了研究。研究表明,采用粉碎分离工艺制备SiC片晶是可行的,其加工成本远比化学气相沉积(CVD)法低,且产量大,制备工艺简单,可连续生产。目前,生产SiC超细粉多采用气流磨。气流磨是利用高速气流(300~500m/s)或过热蒸汽(300~400℃)的能量使颗粒相互产生冲击、碰撞和摩擦,从而导致固体物料粉碎[1,4]。气流磨粉碎的SiC产品细度d97一般可达3~45μm。另外,产品还具有粒度分布窄、颗粒表面光滑、颗粒形状规则、纯度高、活性大、分散性好等特点。沈志刚等人[5]研究了气流粉碎对SiC粉体颗粒形状的影响。研究表明,气流粉碎能够使SiC粉体保持原级颗粒的基本晶体结构形状,从而可充分发挥粉体的固有属性。顺便提及的是粉体的制备往往离不开分级,SiC超细粉体的分级有风力分级和湿法分级两种,前者有多种机型,与后者相比,处理效率高,但分级精度差,难以防止粗晶粒的混入。湿法分级又分为重力沉降分级、水力分级(淘汰管)、离心分级等方法,分级精度高,设备大多也较低廉,但需干燥工序,且处理效率低。  在陶瓷材料成型烧结之前素坯的成型对制品的性能有直接影响,为了提高素坯的均匀性及干压成型后的密度,粉料的成型特性尤为重要,喷雾造粒技术被广泛用于制备先进陶瓷粉料[7]。喷雾造粒后的粉料除了需要保证一定的粒度要求以外,还需要:    (1)根据各种不同的组成要求进行混料; (2)对成型粉料尤其用于连续自动成型的粉料要求有良好的流动性、成型性和化学均匀性。由于各种成分或添加剂的粒度、密度、分散性等各不相同,为保证混料过程中各组分之间的均匀分散,对混合过程的湿化学工艺和条件需要进行严格的控制。如果采用简单的混合-烘干-过筛-造粒工艺路线,粉料质量将很难保证。因此在碳化硅原料细粉中加入一定量的塑化剂,制成粒度较粗,具有一定颗粒级配,流动性好的团粒,以利于柸料的压制成型。对于碳化硅用粉料的粒度,应是越细越好,但太细对成型性不好。因为粉料越细,颗粒越轻,流动性越差;同时粉料的比表面面积大,占的体积也大,因而成型时不能均匀的填充模具,易产生空洞,使致密度不高。若形成团粒,则流动性好,装模方便,分布均匀。这不仅有利于提高柸体的致密度,改善成型和烧成密度分布的一致性,而且由于团粒的填充密度提高,空隙率减低,有利于成型加工。本次我们用喷雾造粒法制造碳化硅粉