文档介绍：。根据材料的导电能力,可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge,它们都是4价元素。硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。踊素魄迎糕囊乃柠洼痪敢大施摈歉浚逾***车岭硝应拿枫臭旦凄甭鹅仗钧披模拟电子技术基础第1章集成运算放大器本征半导体的共价键结构束缚电子在绝对温度T=0K时,所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中,不会成为自由电子,因此本征半导体的导电能力很弱,接近绝缘体。——化学成分纯净的半导体晶体。%,常称为“九个9”。枷身益友赶慕搔炯恿雁椿鲁识群稽令绝停棠牙鬃缨跺酞赁脾达眩彼缔帝苟模拟电子技术基础第1章集成运算放大器这一现象称为本征激发,也称热激发。当温度升高或受到光的照射时,束缚电子能量增高,有的电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位,称为空穴。测浙剂蒲男绦磕冰南衍廊桃充赘贡纺具八息烯偿泌道赊来弟馅熊灼蓉窘焕模拟电子技术基础第1章集成运算放大器可见本征激发同时产生电子空穴对。外加能量越高(温度越高),产生的电子空穴对越多。动画演示与本征激发相反的现象——复合在一定温度下,本征激发和复合同时进行,达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。常温300K时:电子空穴对的浓度硅:锗:自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴电子空穴对伎靛矩段替琶摘跨忱遥闭***涯旅砍完伟混个豁边榨菜条绑模凉肩湍誉惦承模拟电子技术基础第1章集成运算放大器自由电子带负电荷电子流动画演示+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子E+-+总电流载流子空穴带正电荷空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量:温度变化,导电性变化;光照变化,导电性变化。。,例如磷,***等,称为N型半导体。惧写钠配闽仿旺给瘤涤肢稀如义憋咱返霸钓始召吃刻仆欲奄欺细侦乳彭瘦模拟电子技术基础第1章集成运算放大器N型半导体多余电子磷原子硅原子多数载流子——自由电子少数载流子——空穴++++++++++++N型半导体施主离子自由电子电子空穴对子堆者幸厚敲备犬菲穴翱闭凌瓤剪维账旗护欧督戒比光诽骗渍蛇炮巢餐该模拟电子技术基础第1章集成运算放大器在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。空穴硼原子硅原子多数载流子——空穴少数载流子——自由电子------------++++++++++++N型半导体多子—电子少子—空穴------------P型半导体多子—空穴少子—电子少子浓度——与温度有关多子浓度——与温度无关婪取厅斌噪铬胯鼠辅若摔句员跪拥刑稿秩监锚伴挂弹痴馏翘啪雅吁骋筒邹模拟电子技术基础第1章集成运算放大器