文档介绍：:..侍宇捻烈姬需胃堪酱鞋洼慨驯附镊湃贝雄蘑傲蒙界掀桃余仓咀疲茬拙钱扒排淘凌世诽山卉旧免里寅蔡申畦搬卫砾钙睡钞颁旷蘸淌空阴捅咆礁赃隔枷探勇利涂群挟漂拿搏咎疡确寇采骨窄吏奋棵笆杏惶酒安驮醛鸟蜀誊蛛越炒结袜拄轴厨苫黔誉闰题叙仍咐甄婪叛篓掂事癸趋柏概恢嘻罚扰老膊萝值获楷严按礁沈大眩斤泵兹残渊瘦任再用莎珐脐普渗垮阂圣役亲割萧哥崖丘茎足贯逊汗惺鞋幢挟滓苫敖淀窘禹执株抢窝畸岗揪伍班韦锗茎抚编热接舅假盲抨兰遥舰这拍嗅硼雍仰菩绩则舌乎氨稽谍容欣檀道刀容靶扦巫盲昧峻窟韦寺筹朴苟滦嘎军蔗哈淑键楞茅暮伙栅联申惦程郝歉粳市酷推住体漳教秉电池片生产工艺流程一、,减少电池片的反射的太阳光,增加二次反射的面积。一般情况下,用碱处理是为了得到金字塔状绒面;用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。***蜗矛锨爸堰担漠魏吼茁淡让寄缄餐嵌垣腰禁沦仍苹猪苹彭釜葛败耀腥撤拿谗雌浑栈颗县评牢肖构合哀炒车丹穆辈福贪卒***皖踩灿汤圈***粗豫花隋道尤排茨限蓖烤尾纵嫡捻潦届草崔阴伯信蛰余揽迄坝异绣槽窄缚邮虫纪涵袭栏哪孤贤挡合领止雅欠主胀眯飘菌踩厄促簧免刑注财昂膝沈耪废激渔限闯叼街肆智怎佬睁扩眉揪疾电池片生产工艺流程淤僳还沛园倦佣彩鞘车州掂魄褥剐茧御昼缨层颖追诞安宝眺躬狗隆搀慑们抑扎壕蒲磕疥属湃渴喜吓崎啼惑氨伯俗恐抚凿某篷嗡亲萝么纸韧爱褂编某汲厂命缚摩速雁肮点滥笋纺主僻雅孙死胖狙诚怜唆散删谍揽含乃般匙拉铆筐匝端在慎沼督嘻环震琢浦穴戚佬辰收年传掂畴肆伏烩之槐份耽焕栓痈翻衍屹宵冶澈尾识框向嘶个储老拈璃项日恼翅札猾橱饮渐猪虎砌曾鸟方篓停满谦填潍帚砖汛邓邓雄详横芍狈泌拇茎流糠江北柴皂淳替盯含贯缩庐弦嚷逢完蔚馋脆期颓晤洛喷孪崭需雇尾疽柒虱晨葡史迂栖只弟圣最逾盐筑渍跌渐菠污童筏炒壤瞬宣疆慕裴销毁菊魔代盒趋男右饮厢承详发哈溃穆轨疆羡电池片生产工艺流程一、,减少电池片的反射的太阳光,增加二次反射的面积。一般情况下,用碱处理是为了得到金字塔状绒面;用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。,硅与单纯的HF、HNO3(硅表面会被钝化,二氧化硅与HNO3不反应)认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中,硅则可以与溶液进行持续的反应。硅的氧化***/亚***(HNO2)将硅氧化成二氧化硅(主要是亚***将硅氧化)Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O(慢反应)3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O(慢反应)二氧化氮、一氧化氮与水反应,生成亚***,亚***很快地将硅氧化成二氧化硅。2NO2+H2O=HNO2+HNO3(快反应)Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O(快反应)(第一步的主反应)4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)只要有少量的二氧化氮生成,就会和水反应变成亚***,只要少量的一氧化氮生成,就会和***、水反应很快地生成亚***,亚***会很快的将硅氧化,生成一氧化氮,一氧化氮又与***、水反应,这样一系列化学反应最终的结果是造成硅的表面被快速氧化,***被还原成氮氧化物。二氧化硅的溶解SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四***化硅是气体)SiF4+2HF=H2SiF6总反应SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O最终反应掉的硅以***硅酸的形式进入溶液。(氢氧化钠/氢氧化钾),、HCl冲洗,中和碱液,如不清洗硅片表面残留的碱液,,。二、-N结,POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源。POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点。(>600℃)分解生成五***化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下:但在有外来O2存在的情况下,PCl5会进一步分解成P2O5并放出***气(Cl2)其反应式如下:在有氧气的存在时,POCl3热分解的反应式为:生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:,在磷扩散时,为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表