非晶硅薄膜光伏电池结构参数分析.pdf

文档介绍：激光与光电子学进展
中国激光杂志社
48,093102(2011) Laser &Optoelectronics Progress ? 2011 《》
非晶硅薄膜光伏电池结构参数分析
吴定允1,2 彭玉峰1* 赵纪昌1 毕小群1 张毅1

1 河南省光伏材料重点实验室河南师范大学河南新乡 2周口师范学院物理与电子工程系河南周口
(( ), 453007; , 466000 )
摘要考虑到型非晶硅光伏电池的各膜层厚度掺杂浓度等因素对非晶硅
nip [ITO/a-Si(n)/a-Si(i)/a-Si(p)/Al] 、,
光伏电池的转换效率填充因子开路电压等性能参数进行了数值分析与讨论结果表明随型层厚度的增加
、、。, p ,
光伏电池的短路电流密度、转换效率、开路电压值都有所增加。当本征层的厚度增加时,短波段内的光谱响应变
差内量子效率下降当型层厚度为本征层厚度为型层厚度为受主掺杂浓度为
、。 n 5nm, 5nm,p 10μm,
×1019 cm-3,×1016 cm-3时,%。
关键词光电子学光伏电池非晶硅纳米薄膜型转换效率
; ; ; ;nip ;
中图分类号文献标识码
A doi:
Analyses of Structure Parameters of Amorphous Silicon
Film Photovoltaic Cells
,
Wu Dingyun12 Peng Yufeng1 Zhao Jichang1 Bi Xiaoqun1 Zhang Yi 1
1 Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials (Henan Normal University),Xinxiang,Henan453007,China
(2 Department of Physics and Electronic Engineering,Zhoukou Normal College,Zhoukou,Henan466000,China )
Abstract Taking into account the film layer thickness and silicon impurities of amorphous silicon solar cells with the
nip-type[ITO/a-Si(n)/a-Si(i)/a-Si(p)/Al]structure,the conversion efficiency,fill factor,and open circuit
voltage of the nip-type amorphous silicon solar cell are numerically analyzed and results show that
the short circuit voltage,conversion efficiency,and open circuit voltage increase as the thickness of p