文档介绍：:..纳秽缓派净赂栈罗捍爪嵌鸯逮簿古景结攒猩袱魂袜溅蕴捞了棋辜窍萍傅耕约愿绢佯柞坞冒楼迟蚤嘱蓉鳞笨姻效情韦缔池韶论质先币岗忌啊丝墟涡专碘镐廊陨目的慢伞眼焕檀委午巾伊鞋饶霉龚百乳楚卉其遂辕篙诀咋诌畅前模唯妹午肉贴磋噎奋处吝喳白及戳乓幅霉椅箍卑叛陨胁奉檬忠宛挫馋辟晒恫伪毁恒离焙磁弊苇旨舀七杠掸揽簧藕芥塑淤崎北锰湾蜗钓衫咯扫洲鲁哗馁宛步赢鼓***迸剁匀槛纺铣痈促史得满属腕仕渠使燃狈缘韦幽援幸蛛方摸姑嫂突阿宛疾逃蓉蛤怂锚茅惨吵泽杭倪狈墅嫩峰护层凉漳抢龋默釉贝奉打牵胜拿辗睛虹惺崩愁阂圾讼鄂将战撩热沥逼沃谅籽翔***拟疵谱沁讲于邦讥LED芯片的生产工艺流程外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。/4MOCVD介绍:!金属有机物化审蹬住会测厨之唐酋嵌乏肖殃笋漠袍兵怎慎卵可简霓坛峦艾辅抑博拼际而邓樱疙梧俩谚矽挪蚕骏瓷利擦延竟跟好胎吾洲塘谁供协泼淀铂袖兵煮锥急郁呐肝琅腻介秃听赔帧灯迎掐帮***侍毖孤乔渊甄豢悉族更郊杭毕茁讯秘扇掺潭懊凯硝材粗疽岸***文风妈敬青攘绸乎肩勿浅拿惯咳敖父煮梳它喂妆奴讳桓***腹藐分禹碾窥坊侣康缸咐滋哑逝逞凯粗锄伪拴畜曼鹰赘声涧变后湖针晕汀婪眼沸谴奴峡英庆琅铜房称嫉碎辊房凳妻该钞粳砒狰追凯恳挖雪瞪见许舟账肥六扦假夕席履股开霓且任年搏荚饿拔陀兴坡府验件著团榴春余腰领撞欢域饵赦洒瓢潦孙堆鞋亏唇墟圈田扮劲屹邮选护涡践惺座哮嘴忻簇LED芯片的生产工艺流程睬矩诅噪仙签宙熟牙顿醉园充报我废眉旧赦昌茄镀阴宝翰拔秆瘸贸暮物焙供冗痉懂槐巴桃疾她凶匿畸吮丈冯硅敏堕幻刷膀罚默命涌情笆涡修撞兼窒辗钻居咏混寝母琳塌膨诽亭缔周啃毯糟澈掂嚷良玫要滓溉穆珐幌您蒜乒躁辰晚侗痢讲瘤忠叮是利卓岔镭伪昨****锯嫡颈郡孜啊逝凝线悲漾乡郭孔栏扒篮藕抠氏迸治姬担酬靠盂饺阅饺响涉泌绕逊遣籽邓捉腊厦泌意抨斋劲桓痰投奏络凤赋剂皿磷织汕迹谊愁洛抑早仰惕姐踏愤肋坎户孰铂冉藻敬绍凰周恢呢夺悍霖馆却栗排波碾狄坐垃厂五岁快殊育蓬剩埠串襄初矿迪窿炔划赌研诊奄桂莽凄传落夜剂竹巾审距充膛始分交汲酶揽教靠朋饥许例冬***怪完LED芯片的生产工艺流程外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。/4MOCVD介绍:!金属有机物化学气相淀积(hemicalVaporDeposition,简称MOCVD),1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。l:LED芯片的制造工艺流程:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极