文档介绍：单晶多晶硅片生产工艺流程详解在【技术应用】单晶、多晶硅片生产工艺流程详解(上)中,笔者介绍了单晶和多晶硅片工艺流程的前半部分,概述了一些工艺流程和概念,以及术语的相关知识。而本文则是从切片工艺开始了解,到磨片和吸杂,看硅片如何蜕变。切片切片综述当单晶硅棒送至硅片生产区域时,晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程,直接粘上碳板,再与切块粘接就能进行切片加工了。为了能切割下单个的硅片,晶棒必须以某种方式进行切割。切片过程有一些要求:能按晶体的一特定的方向进行切割;切割面尽可能平整;引入硅片的损伤尽可能的少;材料的损失尽量少。碳板当硅片从晶棒上切割下来时,需要有某样东西能防止硅片松散地掉落下来。有代表性的是用碳板与晶棒通过环氧粘合在一起从而使硅片从晶棒上切割下来后,仍粘在碳板上。碳板不是粘接板的唯一选择,任何种类的粘接板和环氧结合剂都必须有以下几个特性:能支持硅片,防止其在切片过程中掉落并能容易地从粘板和环氧上剥离;还能保护硅片不受污染。其它粘板材料还有陶瓷和环氧。石墨是一种用来支撑硅片的坚硬材料,它被做成与晶棒粘接部位一致的形状。大多数情况下,碳板应严格地沿着晶棒的参考面粘接,这样碳板就能加工成矩形长条。当然,碳板也可以和晶棒的其它部位粘接,但同样应与该部位形状一致。碳板的形状很重要,因为它要求能在碳板和晶棒间使用尽可能少的环氧和尽量短的距离。这个距离要求尽量短,因为环氧是一种相当软的材料而碳板和晶棒是很硬的材料。当刀片从硬的材料切到软的材料再到硬的材料,可能会引起硅片碎裂。这里有一些选择环氧类型参考:强度、移动性和污染程度。粘接碳板与晶棒的环氧应有足够强的粘度,才能支持硅片直到整根晶棒切割完成,因此,它必须能很容易地从硅片上移走,只有最小量的污染。刀片当从晶棒上切割下硅片时,期望切面平整、损伤小、沿特定方向切割并且损失的材料尽量小。有一个速度快、安全可靠、经济的切割方法是很值得的。在半导体企业,两种通常被应用的方法是环型切割和线切割。环型切割通常是指内圆切割,是将晶棒切割为硅片的最广泛采用的方法。内圆切割内圆切割,切割的位置在刀片的表面。刀片是由不锈钢制成的大而薄的圆环。刀片的内侧边缘镀有带钻石颗粒的镍层。这一钻石-镍的镀层提供了用来切割晶棒的表面,对于150mm的硅片,每刀用时3分钟。内圆刀片的构成和厚度对一典型的内圆刀片,,镍-。。这样,材料损失厚度略大于刀片的最厚度,。镍-钻石涂层的厚度是内圆刀片的一个重要参数。很明显,这一厚度越小,刀片损失也就越少。但是,如果涂层太薄的话,刀片切下的路径太窄,刀片可能会有更大潜在可能冲击边缘,如果刀片发生任何偏差而撞击到边缘,硅片就会受到损伤,在接下来的步骤中就需要去除更多的材料。因此,有一个最适宜的镍-钻石涂层能得到最低的材料损失。不锈钢有高的延展性能允许刀片有很大的张力,这种强的张力能使刀片绷的很紧很直,从而在切割时能保持刀片平直。另一个有利之处就是它很耐用,能额外使用同一刀片而不需更换,从而使硅片的生产成本降低。。对于相同尺寸的晶棒,有一个办法能减小刀片的尺寸,就是在切割前将晶棒滚圆。这个安排有利之处在于内圆切片时,只要通过晶棒一半的路程,因此,不需要如此大的直径。但它会导致碎裂并使硅片中心产生缺陷。随着晶棒直径的增大,内圆切片变得越来越不实用。切片损伤当切片机在切割晶棒时,会引起很多损伤。这一过程会造成硅片产生许多细微破裂和裂纹,这种损伤层的平均厚度约为25-30μm。这样的损伤存在于刀片与晶棒接触的任何地方。因为切片接触的是硅片的表面,所以硅片表面存在着许多这样的损伤,这就意味着在接下来的过程中必须清除掉这些损伤,硅片才会有用。刀片偏转硅片弯曲和厚度偏差的主要根源在切片过程。影响硅片形状的最主要因素是切片过程中的刀片偏转。如果刀片在切片时发生振动,那么很有可能在刀片所在一侧的损伤层会比另一侧更深。不同的是,因刀片振动引起的损伤称为切片微分损伤。碎片(刀片退出时) 无论任何方式,当刀片切割某种材料即将完成时,刀片在材料底部时,可能会引起材料碎裂,这种现象称为exitchip。碎片的发生是由于在切割的最后阶段,在材料的小区域中存在高的局部应力。当持续施加相同大小的压力在越来越薄的材料上,材料就无法再承受这样的压力。这片材料就开始断裂,材料的碎片就会松散。最小限度(碎片) 有两种方法防止碎片的发生,一种方法是在最后阶段,减小刀片施加在硅片上的压力。在最后,可以通过降低刀片进给速率来减小压力。另一个方法是在晶棒外侧位置贴上几片材料,使切割完成。外表面额外材料的增加提供载体有利于切片的