文档介绍：采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定高纯锑中痕量元素的含量高纯铅化学分析方法锌、银、铜、铝、镁、镍、锡、铁、镉、锑、***含量的测定辉光放电质谱法编制说明2012年3月高纯铅化学分析方法锌、银、铜、铝、镁、镍、锡、铁、镉、锑、***含量的测定辉光放电质谱法一、、PbSe、PbTe等化合物半导体材料,是制作红外探测器、光电导检测器、长波激光器、激光调制器及摄像管靶面的重要材料,在国民经济的各个部门和领域中发挥着重要作用。根据国家标委会下达的计划编号为2009-0226T,0229T-YS、2009-0268T-YS的任务,高纯铅的分析方法标准要求在2011,2012年完成。2(起草单位概况峨嵋半导体材料有限公司从事化合物半导体用高纯材料的研制已有四十多年的历史,生产科研试制体系完善,技术基础优势明显,目前已完成近二十种元素材料和化合物材料的生产工艺研究,形成多条产品生产线,工艺技术先进,产品质量水平国内领先,为推动我国化合物半导体材料的应用研究和发展作出了贡献。公司检测设备齐全,拥有原子发射光谱仪、等离子发射光谱仪、原子吸收光谱仪、紫外分光光度仪、极谱仪、气相色谱仪、等离子质谱仪、辉光放电质谱仪等多种微量、痕量分析仪器,产品分析检测体系完善,具备完成多种高纯元素材料分析检测的能力,并多次主持和参与国家及行业有关标准的制定和修订。3(主要工作过程和工作内容峨半公司于2011年成立了制定标准项目小组。项目小组为保证标准制定进度和工作质量进行了人员分工:,现有痕量分析技术和方法的概况调研,方法论证;,方法实验研究,编制研究报告;,征求相关方的修订意见,确定和委托复验单位;项目小组随即开展了有关资料、信息收集和调研工作,初步确立了采用先进的辉光质谱法分析高纯镉技术可行。该法具有多元素快速分析特点,样品处理简单,直接分析,大大减-9少试剂污染,分析灵敏度高,杂质的最低检测限甚至可达到1,5×10%,是高纯金属和半导体材料最理想的成分检测方法。项目小组在实验研究基础上进一步确立了方法标准的各项技术要素、仪器参数和性能指标等,于2011年11月完成标准征求意见稿。1二、,正确反映我国高纯材料实际质量水平,另一方面应考虑我国现阶段分析检测水平的实际和世界先进技术发展的趋势,正确兼顾技术先进性、经济合理性的统一。本标准在制定中主要遵循以下四大原则:,充分满足市场要求的原则;,科学性和技术先进的原则;,经济合理的原则;,实用性的原则。)杂质检测方法的确定确立了采用高分辨度的辉光放电质谱法来完成高纯铅的分析检测,其样品处理简单,基体效应小,方法分析灵敏度高,完全可以满足杂质的检测要求。该方法具有技术先进性,同时也实现技术升级,与国际接轨。传统原子发射光谱法(AES)分析流程长,效率低,样品处理较复杂,不能分析非金属杂质等诸多缺点使其应用受到限制。2)化学成分及测定范围本标准的测定方法可以测定高纯铅中锌、银、铜、铝、镁、镍、锡、铁、镉、锑、***的含量的测定方法。测定范围:由于辉光质谱仪器具有高分辨、多元素测定等特殊本领,可完成高纯铅中的常量、微量及痕量杂质测定。三、调研和分析工作的情况目