文档介绍：电子科技大学
硕士学位论文
基于SiGe工艺的宽带低噪声放大器设计与实现
姓名:谢李萍
申请学位级别:硕士
专业:电路与系统
指导教师:刘光祜
20070520
中文摘要超宽带无线应用中的关键模块——宽带低噪声放大器进行研究、设计,制造出高首次采用电流复用技术实现了猯泶低噪声放大器,工艺具有优异的射频性能,更由于其较高的性价比,被广泛应用于移动通信、卫星定位和等市场;工艺还可以与常规的数字模拟电路相集成,制造出功能完整的酒D壳安捎肧牧现谱魃淦导傻缏芬殉晌9噬的研究热点。随着无线电应用越来越广泛,使用的带宽和频率也越来越高,因此宽带、超宽带的无线电应用研究具有重要意义,本论文正是基于先进的眨钥泶性能的芯片。本论文在参考大量相关文献的基础上,对宽带低噪声放大器的各种设计方法进行了深入分析和研究,详细比较了各种传统和新型的宽带低噪声放大器电路结构,在此基础上采用新颖的电路结构设计了两款带宽超过镀党痰目泶驮肷放大器芯片,达到了优异的性能指标。采用新型带通滤波器匹配技术设计的泶驮肷糯笃餍酒在宽频带内实现了~脑肷凳钠教乖鲆妫淙胧涑銎ヅ溆于慕鑫猯Mü孕酒谔秸胩ㄉ辖械某醪讲馐员砻鞑馐越果与仿真结果相吻合。。推导出了电流复用结构低噪声放大器输入阻抗的具体数学表达式,对于采用该结构设计宽带低噪声放大器具有重要的指导作用。关键词:射频集成电路锗硅低噪声放大器宽带超宽带.
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导师签名:玉;:查丝签名:竭榱日期:劲晔翷%日日期:矽曛性码廊导师签名:.。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笥ψ袷卮斯娑及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其