文档介绍：电子线路-。半导体中有两种载流子,自由电子和空穴,载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动,因电位差而产生的运动成为漂移运动。在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体,在它们的交界面上,上述两种运动达到动态平衡,就形成了PN结。其基本特性是单向导电性。,加上正向偏压时形成扩散电流,电流与电压呈指数关系,加反向电压时,产生漂移电流,其数值很小。体现出单向导电性。3晶体管晶体管具有电流放大作用,对发射极正向偏置集电极反向偏置时,从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合,形成基极电流,而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流,体现出对的控制,可将视为控制的电流源。晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。,它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流,因输入回路的PN结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。场效应管局又夹断区(即截止区)、横流区(即线性区)和可比阿安电阻区三个工作区域。学完本章后应掌握:、概念和原理:自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区,PN结,耗尽层,导电沟道,二极管单向导电性,晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。、稳压管、晶体管,场效应管的外特性,主要参数的物理意义。-1试简述PN结的形成过程。空间电荷压,阻挡层,耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。答:PN结的形成过程:当两块半导体结合在一起时,P区的空穴浓度高于N区,于是空穴将越过交界面由P区向N区扩散;同理,N区的电子浓度高于P区,电子越过交界面由N区向P区扩散。多子由一区扩散到另一区时,形成另一区的少子并与该区的多子复合,因此,在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子,另一侧留下带正电荷的施主离子。于是在交界面附近形成一个空间电压区,即PN结。空间电荷压:在PN结内无可移动的带电荷之缘故。势垒层:在PN结中,N区电位高于P区电位,两区存在接触电位差之缘故。耗尽层:在PN结中,只有不能移动的数量相等的正负离子,而载流子因扩散和复合而消耗掉了之故。阻挡层:由于PN结中存在接触电势压,阻挡了电子扩散之故。1-2(1)在室温下,当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流IR(sat)的95%时,反向电压是多少?(2)计算偏压为±,相应的正向电流和反向电流的比值。(3)如果反向饱和电流为10nA,,并说明这一结果与实际不符的原因。解:(1)因为ID=IR(sat)(-1)所以VD=VTln=26mv×=-(2)(3)1-3在测量二极管的正向电阻时,用表的“R×10”档测出的阻值小而用“R×100”档测出大,原因何在?答:因为万用表“R×10”档的内阻小,测量二极管的正向阻值小,而“R×100”档的内阻大,测量的二极管的正向阻值大。1-4怎样用万能表判断二极管的极性和好坏?答:判断二极管的极性与好坏,选择万用表“R1K”电阻档,此时黑表棒为正极,红表棒为电源负极。用黑红表棒接待测二极管两极,观察阻值大小,再反过来相接,观察阻值大小,若两次测量均大,说明二极管断路,若第一次测量阻值大,第二次测量阻值小,则测量值小的连接时,黑表棒接二极管的阳极,红表棒接二极管的阴极;并说明二极管是好的;若两次测量阻值均小,说明二极管被击穿。1-5限幅电路如图所示,设D为理想二极管,输入电压vi为正弦波,其振幅大于,试给出输出电压为的波形。解:1-6双向限幅器如图所示,设为理想二极管,输入电压为正弦波,其振幅Vi=3,试给出输出电压的波形。1-7双向限幅器如图所示,设为理想二极管,输入电压vi由0-100V作线性变化,给出相对于vi的输出电压随时间变化的曲线。解: