文档介绍：半导体器件及导电特性?半导体器件复杂多样,其中最简单,最基础的就是二级管!?将n型半导体和p型半导体相接触,结合在一起,就形成了二级管。?二级管中会形成PN节-半导体器件的核心!?PN节具有单向导通性! 半导体器件及导电特性N P- +N P+ - 半导体器件及导电特性?平衡PN结势垒qVDP型N型费米能级P NEPN结的正向注入当PN结加有正向偏压时(P区为正向电压),外加电压使空间电荷区中的电场减弱,打破了漂移运动和扩散运动的相对平衡。E’E0E=E0+E’P N在这种情况下,电子源源不断地从N区向P区扩散,空穴从P区向N区扩散,成为非平衡载流子。这种现象称为PN结的正向注入。PN结的正向注入通过单位面积PN结的总电流就是????11/0/00???????????????TkqVTkqVNppPnnBBejepLDnLDqjPN结电流与少子浓度称正比,并且随正向电压增加指数形式增加。PN结的反向抽取E’E0E=E0+E’P N反向偏压PN结空间电荷区中电场加强,载流子的漂移运动超过扩散运动。P型区的电子一旦接近空间电荷区边界,就要被电场拉向N区。靠近边界的N型区的空穴,被拉向P区。这种现象称为PN结的反向抽取。它们构成了PN结的反向电流。PN结反向偏压时,势垒高度增加为q(VD+Vr)PN结的反向抽取总电流密度????TkqVTkqVNppPnnBrBrejepLDnLDqj/0/0011???????????????qTkVBr??一般??????????? 离子导电性及超导简介? 离子导电性1、离子导电机理及影响因素?离子在电场作用下移动形成电流?本征导电:热运动造成的离子发生移动?杂质导电:杂质离子移动形成的电流1、离子导电机理及影响因素-+++++-----+++++-----+++-正空格点正间隙离子负间隙离子负空格点离子晶体中的缺陷101、离子导电机理及影响因素Eqxε-Eqd/2ε+Eqd/2d有外场E时ε无电场???????TkexpB??0????????Tk/EqdexpB20??????????Tk/Eqdexp002?????????????TkEqdTkEqdTkeee000220????????????TkEqdsinheTk00220??