薄膜晶体管.doc

文档介绍：薄膜晶体管(英语:Thin-FilmTransistor,缩写:TFT),是场效应晶体管的种类之一,大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜,如半导体主动层、介电层和金属电极层。TFT是在基板(如是应用在液晶显示器,则基板大多使用玻璃)上沉积一层薄膜当做通道区。大部份的TFT是使用氢化非晶硅(a-Si:H)当主要材料,因为它的能阶小于单晶硅(Eg=),也因为使用a-Si:H当主要材料,所以TFT大多不是透明的。另外,TFT常在介电、电极及内部接线使用铟锡氧化物(ITO),ITO则是透明的材料。因为TFT基板不能忍受高的退火温度,所以全部的沉积制程必须在相对低温下进行。如化学气相沉积、物理气相沉积(大多使用溅镀技术)都是常使用的沉积制程。如要制作透明的TFT,第一个被研究出来的方法是使用氧化锌材料,此项技术由奥勒岗州立大学的研究员于2003年时发表。很多人都知道薄膜晶体管主要的应用是TFTLCD,液晶显示器技术的一种。晶体管被作在面板里,这样可以减少各pixel间的互相干扰并增画面稳定度。大略是从2004年开始,大部份便宜的彩色LCD屏幕都是使用TFT技术的。连在乳线和癌症X-ray检查的数位X-ray摄影技术上也很常使用TFT面板。新的AMOLED(主动阵列OLED)屏幕也内建了TFT层。[