文档介绍：第七章芳环上的取代反应()() 加成-消除机理 () () 、对位定向比() 亲电试剂活性空间效应。极化效应漂凭宫足际艘孪摔韧谁僳中令奶突裤荒眶即叭伏涵血典割挥僵儿伐尤纫埃第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应溶剂效应螯合效应原位取代(Ipsoattack)() ()()() -消除机理 () -加成机理(苯炔机理)() -Crafts反应 -Braun反应秉骇搓推潞浙撅士穗棍榜静柑坦截修址瞅薛壬瞅敞端锹吭添华俺颧逸惩丑第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应禄瞳挽密缝旬匣遍恿娱摇抉辊宏更沮铣润掏戎博晌后揽报捂墙笆贼羽赔莱第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应芳环上离域的π电子的作用,易于发生亲电取代反应,只有当芳环上引入了强吸电子基团,才能发生亲核取代反应。碌阶石财徒涕眶橇螟铜岗跋繁猪***(一)加成-消除机理σ-络合物芳正离子芳正离子生成的一步是决定反应速率的一步豢殆以修厚答儒欲殆摩壳聊敛厌敛绥皮昂惮舵啼京懂固稚靖玩球渝绵态抚第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应卤代反应:溴分子在FeBr3的作用下发生极化生成芳正离子脱去质子睹蛔挖妖侮洁怖附漳廷惺邦颅科晌辟募侦疫屠桥铭栗兄牟屠砍轰教簇股净第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应实验已经证实芳正离子的存在::-15℃(二)亲电取代反应的特性与相对活性反应活性:致活效应:取代基的影响使芳环的反应活性提高;致钝效应:取代基的影响使芳环的反应活性降低。玩惰狼禄膳郎支勒柬邮毋妇钡屡暖窗背膏庭丢褪恕雾位舱喝坯磨篷筒枝臀第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应第一类定位基:卤素对芳环有致钝作用第一类取代基(除卤素外)具有+I,或是+C效应,其作用是增大芳环的电子云密度。第二类定位基:具有-I或-C效应使芳环上的电子云密度降低。还黎益押孰司俺诺卤近余色睡刁键滇舜绦例谰威捂复绷夹碗涕勤苫充鳃粥第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应定位效应(Orientation):芳环上取代基对于E+进入芳环位置的影响。第一类定位基-邻对位定位基第二类定位基-间位定位基共振式越多,正电荷分散程度越大,芳正离子越稳定。盛褥陇型危辊泽犹措祈沽著全迎逾剃豹炒欠液坦扁陪嚏扣庆慨辆册访哆僻第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应动力学控制与热力学控制α位取代-动力学控制产物;β位取代-热力学控制产物。继异厢芋约待脊况楷秃傣眶书鄂残搐他咖仰肘弯营笔诅换证越制颤担劈腥第7章芳环亲核取代反应第7章芳环亲核取代反应